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CJMP3009

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 13.8nC 1个P沟道 30V 28mΩ@-9A,4.5V 9A
供应商型号: CJMP3009 DFNWB-6L(2X2)
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
CJ/江苏长晶(长电) 场效应管(MOSFET) CJMP3009

CJMP3009概述

    CJMP3009 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

    产品简介


    CJMP3009是一款基于先进沟槽技术设计的P通道增强模式场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode FET),专为高效率开关应用而优化。它主要适用于负载开关及PWM(脉宽调制)电路的设计。凭借较低的导通电阻(RDS(on))和优化的栅极电荷,该器件能够有效减少功耗并提高开关速度,使其成为功率管理领域的理想选择。

    技术参数


    以下为CJMP3009的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS| -30 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 28 40 | mΩ |
    | 漏极连续电流 | ID -9 | A |
    | 栅源击穿电压 | VGS | ±12 V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS -1 | µA |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | ±100 nA |
    | 热阻抗(结到环境) | RθJA 165 | °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 +150 | °C |
    动态参数:
    - 输入电容(Ciss): 780pF
    - 输出电容(Coss): 150pF
    - 反向传输电容(Crss): 98pF
    开关特性:
    - 开启延迟时间(td(on)): 11ns
    - 关闭延迟时间(td(off)): 28.5ns
    其他特性:
    - 总栅极电荷(Qg): 13.8nC
    - 输入电荷(Qgs): 2.5nC
    - 输出电荷(Qgd): 3.3nC

    产品特点和优势


    1. 先进的沟槽技术:通过采用先进沟槽技术,CJMP3009实现了低RDS(on)与低栅极电荷之间的平衡,进一步提升了能效和工作效率。
    2. 优异的热管理能力:较低的热阻抗(RθJA = 165°C/W)保证了在高温环境下的可靠运行。
    3. 低损耗开关特性:快速开关响应和优化的动态特性适合用于高频PWM和DC-DC转换器应用。
    4. 多功能用途:既可用作负载开关,也适合作为逆变电路中的关键部件。

    应用案例和使用建议


    1. 应用案例:
    - 高效开关电源设计,如负载开关电路和电池保护电路。
    - 各种DC-DC转换器应用,尤其在高压侧驱动场景中表现出色。
    - 驱动电机控制模块中的高压侧开关管。
    2. 使用建议:
    - 在设计电路时,确保栅极驱动信号的幅度能够达到规定的VGS值,以保证充分导通。
    - 配合热沉或散热片以降低工作温度,延长器件寿命。
    - 在负载开关设计中,需要结合CJMP3009的高漏源击穿电压(V(BR)DSS),确保电路不会因过压损坏。

    兼容性和支持


    CJMP3009的封装尺寸为DFNW B2×2-6L-J,广泛兼容于标准的表面贴装工艺。江苏长晶电子科技有限公司提供全面的技术支持,包括样品申请、设计咨询以及售后保障服务。如有任何技术疑问,可通过官网www.jscj-elec.com联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致器件异常 | 安装散热片,确保良好的热传导路径。 |
    | 开关波形异常 | 检查输入信号频率是否匹配额定值。 |
    | 启动时间过长 | 优化栅极驱动电路,降低Qg值。 |

    总结和推荐


    CJMP3009以其高效的性能、可靠的稳定性以及广泛的应用场景成为P通道MOSFET的理想选择。特别是在高压、高效率应用领域,该产品展现了卓越的市场竞争力。经过全面测试,我们强烈推荐此器件作为新项目开发中的首选元器件。

    江苏长晶电子科技有限公司将继续致力于技术创新,为客户提供更多高性能、高可靠性的产品。请访问官网了解更多信息:[www.jscj-elec.com](http://www.jscj-elec.com)

CJMP3009参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 13.8nC
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@-9A,4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 9A
Vgs-栅源极电压 -

CJMP3009厂商介绍

CJ公司是一家全球领先的高科技企业,专注于研发和生产各类高科技产品。公司主营产品包括电子产品、通信设备、计算机硬件和软件等,广泛应用于消费电子、工业自动化、医疗健康、教育科研等多个领域。

CJ公司的产品分类主要有以下几个方面:
1. 电子产品:包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等。
2. 通信设备:包括基站、路由器、交换机等。
3. 计算机硬件:包括服务器、存储设备、网络设备等。
4. 计算机软件:包括操作系统、数据库、办公软件等。

CJ公司的优势主要体现在以下几个方面:
1. 技术创新:公司拥有强大的研发团队,不断推出创新产品,引领行业潮流。
2. 品质保证:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:公司提供全方位的售前、售中、售后服务,满足客户需求。
4. 市场布局:公司在全球范围内设有多个分支机构,产品远销世界各地。

CJMP3009数据手册

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CJMP3009封装设计

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