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NTH4L067N65S3H

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 266W(Tc) 4V@3.9mA 80nC@ 10 V 1个N沟道 650V 67mΩ@ 20A,10V 40A 3.75nF@400V TO-247-4L 通孔安装
供应商型号: CY-NTH4L067N65S3H
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTH4L067N65S3H

NTH4L067N65S3H概述

    文章标题:NTH4L067N65S3H MOSFET 技术手册概览

    1. 产品简介


    NTH4L067N65S3H 是一款由安森美(onsemi)生产的高性能功率 MOSFET,属于 SUPERFET III 系列。这类 MOSFET 是一种 N 沟道超级结 MOSFET,专为高效率和紧凑型电源系统设计。这些器件在开关性能、导通损耗和极端 dv/dt 耐受性方面表现出色,适用于多种电力供应系统。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS):650 V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):67 mΩ @ 10 V,典型值为 55 mΩ
    - 最大持续电流 (ID):连续模式下为 40 A,最高可达 100°C
    - 峰值脉冲电流 (IDM):112 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):422 mJ
    - 重复雪崩能量 (EAR):2.66 mJ
    - 最大 dv/dt:100 V/ns
    - 有效输出电容 (Coss(eff.)):691 pF
    - 总门极电荷 (Qg(tot)):80 nC
    - 热阻 (RθJC):0.47 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):典型值仅为 55 mΩ,这使得它在高效率应用中表现尤为出色。
    - 超低门极电荷 (Qg):仅需 80 nC 的门极电荷,有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 高耐雪崩能力:能够承受高达 422 mJ 的单次脉冲雪崩能量,适用于各种严苛的工作环境。
    - 低 dv/dt 特性:具有出色的抗 dv/dt 性能,可以快速切换且不易发生故障。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信/服务器电源供应:由于其高效节能特性,适用于数据中心和其他需要高可靠性的电源系统。
    - 工业电源供应:广泛应用于工业自动化设备,提供稳定可靠的电力供应。
    - 不间断电源 (UPS) 和太阳能系统:这些系统对转换效率和可靠性要求极高,NTH4L067N65S3H 可以满足这些需求。
    使用建议:
    - 在安装过程中确保散热良好,避免过热导致损坏。
    - 使用合适的驱动电路以减少开关损耗,提高整体系统效率。
    - 在高 dv/dt 环境下使用时,确保足够的门极电阻来保护 MOSFET。

    5. 兼容性和支持


    - 封装形式:TO-247-4LD,易于安装和更换。
    - 支持:安森美提供了全面的技术支持,包括详尽的文档和专业的客户支持服务。如需更多信息和技术支持,请联系当地销售代表或访问官网。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何降低 MOSFET 的温升?
    - 解决方案:确保良好的散热措施,使用散热片或水冷装置,并优化 PCB 布局以提高散热效果。
    - 问题:如何正确选择门极电阻以优化开关性能?
    - 解决方案:根据 MOSFET 的数据表选择合适的门极电阻值,一般建议使用 4.7 Ω 至 10 Ω 之间的电阻。

    7. 总结和推荐


    NTH4L067N65S3H MOSFET 凭借其低导通电阻、低门极电荷和高耐雪崩能力,在多种高效率电力系统中表现出色。其广泛的适用性和卓越的性能使其成为电力转换和控制系统的理想选择。强烈推荐在高效率和高可靠性需求的应用中使用此产品。通过优质的售后支持和详尽的技术资料,安森美为用户提供了一流的产品和服务体验。

NTH4L067N65S3H参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 67mΩ@ 20A,10V
Id-连续漏极电流 40A
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@3.9mA
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.75nF@400V
最大功率耗散 266W(Tc)
栅极电荷 80nC@ 10 V
通用封装 TO-247-4L
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
包装方式 管装

NTH4L067N65S3H厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTH4L067N65S3H数据手册

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NTH4L067N65S3H封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 5.239 ¥ 42.4405
25+ $ 5.0225 ¥ 41.7088
50+ $ 4.8061 ¥ 40.9771
100+ $ 4.7195 ¥ 40.6112
300+ $ 4.6762 ¥ 40.2453
500+ $ 4.6329 ¥ 39.8795
1000+ $ 4.503 ¥ 38.0501
5000+ $ 4.503 ¥ 38.0501
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