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NVMFWS0D4N04XMT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 197W(Tc) 3.5V@ 330µA 138nC@ 10 V 1个N沟道 40V 420μΩ@ 50A,10V 8.55nF@25V DFN 贴片安装
供应商型号: Q-NVMFWS0D4N04XMT1G
供应商: 期货订购
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFWS0D4N04XMT1G

NVMFWS0D4N04XMT1G概述

    NVMFWS0D4N04XM MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVMFWS0D4N04XM 是一款高性能的单通道 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻(RDS(on))和低电容的特点,使其非常适合用于电机驱动、电池保护以及同步整流等领域。这款 MOSFET 采用紧凑设计,尺寸仅为 5x6mm,特别适用于空间受限的应用场景。此外,该产品已通过 AEC-Q101 认证,并且在无铅、无卤素和 RoHS 方面完全符合相关标准。

    技术参数


    - 最大电压 (VDSS):40 V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时为 509 A
    - TC = 100°C 时为 360 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):900 A
    - 脉冲源极电流 (ISM):900 A
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 至 +175°C
    - 总功率耗散 (PD):25°C 时为 197 W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):2396 mJ
    - 引脚焊锡耐热温度 (TL):260°C
    热阻参数:
    - 结至外壳热阻 (RθJC):0.76°C/W
    - 结至环境热阻 (RθJA):38.2°C/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)):仅 0.42 mΩ @ 10 V 栅极电压,大大减少了导通损耗。
    2. 低电容特性:输入电容 (CISS) 仅为 8530 pF,有助于降低驱动损耗。
    3. 紧凑设计:体积小,适合空间受限的应用。
    4. 高可靠性:已通过 AEC-Q101 认证,并且具备 PPAP 能力。
    5. 环保材料:无铅、无卤素、RoHS 符合标准。

    应用案例和使用建议


    - 电机驱动:低导通电阻和低电容特性使得其在电机驱动应用中表现出色,可显著提高效率并减少发热。
    - 电池保护:由于其高可靠性和高温度耐受能力,适用于电池管理系统中的关键保护功能。
    - 同步整流:紧凑的设计和低损耗特性使其在高频开关电源应用中表现优异。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到结到环境热阻 (RθJA) 较大,需要采取适当的散热措施以确保最佳性能。
    - 确保电源电压和漏极电流不超过最大额定值,以避免损坏设备。

    兼容性和支持


    NVMFWS0D4N04XM 可与其他符合行业标准的 MOSFET 兼容。制造商提供了详细的订购信息和包装说明,同时提供技术支持和售后服务,以帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:过高的温度导致 MOSFET 损坏。
    - 解决方案:增加散热片或使用散热板,确保散热系统能够有效散热。

    - 问题 2:电流超过最大额定值导致过热。
    - 解决方案:重新评估电路设计,降低电流负载或将电路进行分段设计,以减少每个 MOSFET 的负担。

    总结和推荐


    综上所述,NVMFWS0D4N04XM 是一款在电机驱动、电池保护和同步整流领域具有广泛应用前景的高性能 MOSFET。其卓越的导通电阻和电容特性、紧凑设计以及高可靠性使其成为这些应用的理想选择。如果你的应用对高效能和紧凑设计有严格要求,强烈推荐使用这款 MOSFET。

NVMFWS0D4N04XMT1G参数

参数
栅极电荷 138nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 197W(Tc)
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.55nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 420μΩ@ 50A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 330µA
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

NVMFWS0D4N04XMT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFWS0D4N04XMT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFWS0D4N04XMT1G NVMFWS0D4N04XMT1G数据手册

NVMFWS0D4N04XMT1G封装设计

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