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NXH010P120MNF1PTNG

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 454nC@ 20V 4.707nF@800V 250W (Tj) 14mΩ@ 100A,20V 114A 1.2KV 4.3V@40mA 底座安装
供应商型号: NXH010P120MNF1PTNG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NXH010P120MNF1PTNG

NXH010P120MNF1PTNG概述

    # NXH010P120MNF1 F1-2PACK SiC MOSFET Module

    产品简介


    基本介绍
    NXH010P120MNF1 是一种功率模块,包含一个 10 mΩ/1200V SiC(碳化硅)MOSFET 半桥和一个热敏电阻。此模块具有预涂导热界面材料(TIM)和未预涂 TIM 的选项。NXH010P120MNF1 系列适用于多种应用领域,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电站和工业电源。

    技术参数


    产品规格
    - 电压参数:
    - 漏源电压(VDSS):1200 V
    - 栅源电压(VGS):±25/−15 V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流(TC=80°C):114 A
    - 脉冲漏极电流(TJ=175°C):342 A
    - 最大功耗:250 W(TJ=175°C)
    - 瞬态短路承受时间:2 μs(VGE=−5V/20V,VCE=600V,TJ≤150°C)
    - 工作温度范围:
    - 最小工作结温(TJMIN):−40°C
    - 最大工作结温(TJMAX):175°C
    绝缘性能
    - 隔离测试电压(Vis):4800 VRMS
    - 爬电距离:12.7 mm

    产品特点和优势


    优势
    - 低导通电阻:10 mΩ(TJ=25°C),确保高效率。
    - 高速开关性能:较低的门电荷(QG(TOTAL))和栅极电阻(RG),减少开关损耗。
    - 良好的热稳定性:热阻(RthJC 和 RthJH),适合高功率密度应用。
    - 广泛的兼容性:预涂导热界面材料(TIM)和未预涂 TIM 的选项,方便不同应用需求。

    应用案例和使用建议


    典型应用
    - 太阳能逆变器:用于高效能源转换,提高转换效率。
    - 不间断电源(UPS):增强系统可靠性,保证连续供电。
    - 电动汽车充电站:提升充电速度,减少能量损耗。
    - 工业电源:适用于高要求的工业环境,满足高效率和高可靠性的需求。
    使用建议
    - 在设计应用时,考虑使用高效的冷却系统,以充分利用其低导通电阻和高速开关性能。
    - 结合预涂导热界面材料(TIM),进一步提升散热效果,减少热应力对模块的影响。

    兼容性和支持


    兼容性
    NXH010P120MNF1 模块与其他标准电源系统的兼容性良好,适用于广泛的电子设备。
    厂商支持
    - 技术支持:提供全球技术支持,包括北美、欧洲、中东和非洲的技术支持热线和邮箱。
    - 订购信息:请参阅相关订购信息,获取详细的产品型号和包装规格。

    常见问题与解决方案


    常见问题与解答
    - 问题:在高温环境下使用时,如何避免损坏?
    - 解决方案:确保工作温度不超过规定的最大值,使用适当的散热措施,如散热片和风扇。

    - 问题:如何确保可靠连接?
    - 解决方案:确保使用高质量的焊接和安装工艺,确保连接点无氧化和松动。

    - 问题:如何避免过载?
    - 解决方案:根据具体应用的需求,合理配置电路参数,防止过流情况发生。

    总结和推荐



    总结


    NXH010P120MNF1 F1-2PACK SiC MOSFET 模块以其出色的电气特性和热稳定性,在众多应用中表现出色。其低导通电阻和快速开关性能使其在高效率电力转换和高可靠性工业应用中具备显著优势。
    推荐
    强烈推荐使用 NXH010P120MNF1,尤其对于需要高效率和高可靠性的应用场合。结合合适的散热和连接方案,可以充分发挥其性能优势。

NXH010P120MNF1PTNG参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 114A
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.3V@40mA
通道数量 -
配置 -
FET类型 -
最大功率 250W (Tj)
击穿电压 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.707nF@800V
栅极电荷 454nC@ 20V
Idss-饱和漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 100A,20V
安装方式 底座安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

NXH010P120MNF1PTNG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NXH010P120MNF1PTNG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NXH010P120MNF1PTNG NXH010P120MNF1PTNG数据手册

NXH010P120MNF1PTNG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
28+ $ 115.1775 ¥ 998.589
30+ $ 110.9117 ¥ 961.6042
60+ $ 106.9505 ¥ 927.2612
140+ $ 103.2626 ¥ 895.2866
280+ $ 102.411 ¥ 887.9029
库存: 56
起订量: 28 增量: 0
交货地:
最小起订量为:28
合计: ¥ 27960.49
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