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NVH4L070N120M3S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
供应商型号: AV-S-ONSNVH4L070N120M3S
供应商: Avnet
标准整包数: 30
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVH4L070N120M3S

NVH4L070N120M3S概述

    NVH4L070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVH4L070N120M3S 是一款由安森美半导体(onsemi)生产的硅碳化物(Silicon Carbide, SiC)MOSFET,属于EliteSiC系列。它具有极低的导通电阻(RDS(on))和高速开关能力,适用于高效率的电源转换应用。这款MOSFET的主要功能是用于汽车充电桩和电动汽车/混合动力汽车的DC-DC转换器。其独特的制造工艺和材料特性使其具备优异的电气性能和稳定性。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压(VDSS):1200 V
    - 最大漏极连续电流(ID):34 A(TC=25°C)
    - 最大功率耗散(PD):160 W(TC=25°C)
    - 推荐栅极-源极电压范围(VGSop):-3/+18 V
    - 电气特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):65 mΩ(VGS = 18 V)
    - 栅极电荷(QG(TOT)):57 nC(VGS = -3/+18 V)
    - 输出电容(COSS):57 pF
    - 开关损耗(EON/EOS):124 µJ/36 µJ
    - 工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 峰值接合温度:270°C

    产品特点和优势


    NVH4L070N120M3S 具有多项显著的特点和优势:
    - 超低栅极电荷:57 nC,使得在高频率应用下功耗更低。
    - 高开关速度:通过低输出电容(57 pF)实现高速开关,有助于减少开关损耗。
    - AEC-Q101认证:确保在恶劣条件下仍能稳定工作。
    - 环保材料:无卤素且RoHS合规,符合严格的环保标准。

    应用案例和使用建议


    NVH4L070N120M3S 在汽车充电桩和DC-DC转换器中的应用非常广泛。例如,在汽车充电桩中,该MOSFET可以提高充电效率并减少热耗散;在DC-DC转换器中,它可以提供高可靠性和高转换效率。
    使用建议:
    - 确保电路设计中考虑MOSFET的工作温度和散热需求。
    - 选择适当的栅极电阻以优化开关速度和降低损耗。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    NVH4L070N120M3S 与同类SiC MOSFET在引脚和封装上兼容,便于替换现有设计中的传统MOSFET。安森美半导体提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线资源和技术支持热线,以帮助客户解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何处理散热问题?
    - A: 使用合适的散热器,并确保良好的热管理设计。如果需要,可以采用散热片或液体冷却系统。
    2. Q: 如何避免损坏?
    - A: 避免超出额定的最大参数,如漏极电压、栅极电压和电流等。遵循制造商的建议操作条件,确保长期可靠运行。
    3. Q: 如何优化开关损耗?
    - A: 优化栅极驱动电路设计,选择适当的栅极电阻以减少开关损耗。可以通过仿真软件进行设计验证。

    总结和推荐


    NVH4L070N120M3S SiC MOSFET是一款高性能的电力电子器件,适合于高要求的应用场合,如电动汽车和充电桩。其低损耗、高可靠性和高集成度使其成为现代电源转换应用的理想选择。尽管初期成本可能略高于传统硅基MOSFET,但其卓越的性能和长久的使用寿命将带来更高的总体经济效益。因此,强烈推荐在相关的高可靠性、高效率应用中使用此款MOSFET。

NVH4L070N120M3S参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
FET类型 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
包装方式 管装

NVH4L070N120M3S厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVH4L070N120M3S数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVH4L070N120M3S NVH4L070N120M3S数据手册

NVH4L070N120M3S封装设计

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