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NTMYS3D8N04CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 18nC@ 10V 3.7mΩ@ 20A,10V 87A;22A SOT-1023
供应商型号: 488-NTMYS3D8N04CLTWGTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMYS3D8N04CLTWG

NTMYS3D8N04CLTWG概述

    NVMYS3D8N04CL MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NVMYS3D8N04CL 是一款由 ON Semiconductor 生产的功率型单个 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有小巧紧凑的外形设计(5x6毫米),低导通电阻(RDS(on))以最小化导通损耗,以及低栅极电荷和电容以减少驱动损耗。此款 MOSFET 采用行业标准的 LFPAK4 封装形式,已经通过了 AEC-Q101 认证并具备 PPAP 能力,且无铅,符合 RoHS 标准。适用于各种高功率和高频应用,例如电源管理和电机控制等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | — | — | 40 | V |
    | 栅源电压 | VGS | — | — | 20 | V |
    | 持续漏电流 | ID | — | 87 | — | A |
    | 功率耗散 | PD | — | 55 | — | W |
    | 单脉冲漏极-源极雪崩能量 | EAS | — | — | 202 | mJ |
    | 电气特性 | — | — | — | — | — |
    | 开启阈值电压 | VGS(TH) | 1.2 | 2.0 | — | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | — | 3.7 | 6.0 | mΩ |
    | 零栅源泄漏电流 | IGSS | — | 100 | — | nA |
    | 输入电容 | CISS | — | — | 1600 | pF |
    | 输出电容 | COSS | — | — | 590 | pF |
    | 逆向转移电容 | CRSS | — | — | 21 | pF |

    3. 产品特点和优势


    - 小巧封装:5x6毫米的小型设计使产品适用于空间受限的应用场景。
    - 低导通电阻:3.7 mΩ 的低导通电阻有助于显著降低系统中的能耗。
    - 优化电容:低栅极电荷和电容设计可有效降低驱动损耗。
    - 工业标准封装:采用 LFPAK4 封装,便于集成到多种电路板设计中。
    - 认证合规:通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力,并且无铅,符合 RoHS 标准,适合汽车和其他工业应用。


    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:NVMYS3D8N04CL MOSFET 广泛应用于电源管理、电机驱动及电信设备等领域。例如,在电动汽车充电站的电源转换器中,它可以有效地将直流电压转换为所需的交流电压。

    使用建议:
    - 在选择合适的栅极驱动电阻时,需要根据应用需求来平衡开关速度和功耗。
    - 为了提高系统的可靠性,可以考虑添加适当的热管理和散热措施,尤其是在高功率应用中。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NVMYS3D8N04CL MOSFET 具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的电路设计中。同时,其标准的 LFPAK4 封装也方便了与其它元件的连接。
    - 支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持服务,包括产品规格书、样品请求、技术咨询等,确保用户能够在产品开发过程中获得必要的帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何处理过高的栅源电压?
    - 解决方案:确保栅源电压不超过 20V,若需要更高的电压,请使用外部栅极保护电路。
    - 问题二:系统运行时出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,必要时可以增加散热片或者改善气流循环。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NVMYS3D8N04CL MOSFET 是一款高效能的产品,特别适合在需要高性能、高效率的应用环境中使用。其卓越的导通电阻、紧凑的设计以及完善的认证和兼容性使其在市场上具有很强的竞争优势。对于寻求在高要求应用中实现低损耗和高效能的工程师来说,这款产品无疑是一个优秀的选择。因此,我们强烈推荐使用这款 MOSFET。

NTMYS3D8N04CLTWG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ@ 20A,10V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 87A;22A
栅极电荷 18nC@ 10V
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 SOT-1023
包装方式 卷带包装

NTMYS3D8N04CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMYS3D8N04CLTWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMYS3D8N04CLTWG NTMYS3D8N04CLTWG数据手册

NTMYS3D8N04CLTWG封装设计

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