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NTLJS3113PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 700mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 15.7nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 40mΩ@ 3A,4.5V 3.5A 1.329nF@16V DFN 贴片安装 2mm*2mm*750μm
供应商型号: FL-NTLJS3113PT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTLJS3113PT1G

NTLJS3113PT1G概述

    NTLJS3113P MOSFET 技术手册概览

    产品简介


    NTLJS3113P 是一款由 Semiconductors Components Industries 生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款单通道 MOSFET 被封装在WDFN封装中,尺寸为2x2毫米。它适用于多种电路应用,特别是DC-DC转换器(降压和升压电路)和便携式设备中的电池及负载管理,如手机、PDA、媒体播放器等。其独特的特性使其成为市场上低电压逻辑门驱动的理想选择。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极至源极电压 (VDSS): -20V
    - 门极至源极电压 (VGS): ±8.0V
    - 持续漏极电流 (TA=25°C): ID = -5.8A
    - 最大脉冲漏极电流: IDM = -23A
    - 最高工作结温: TJ, TSTG = -55到150°C
    - 典型电气特性
    - 在 VGS = -4.5V, ID = -3.0A 时的导通电阻 (RDS(on)): 32mΩ 至 40mΩ
    - 在 VGS = -2.5V, ID = -3.0A 时的导通电阻 (RDS(on)): 44mΩ 至 50mΩ
    - 输入电容 (CISS): 1329pF (VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (COSS): 213pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 120pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 13nC 至 15.7nC
    - 热阻抗
    - 结点到空气的稳态热阻 (RθJA): 65°C/W
    - 结点到空气的暂态热阻 (RθJA): 38°C/W (t ≤ 5s)

    产品特点和优势


    1. 卓越的热传导性:采用带有暴露漏极的WDFN封装,提供出色的热传导。
    2. 小巧体积:2x2毫米的占位面积与SC-88封装相同,适合紧凑设计。
    3. 低RDS(on):在2x2毫米封装中具有最低的RDS(on),尤其适合低电压逻辑门驱动应用。
    4. 低功耗:在各种温度下表现出良好的性能稳定性。
    5. 无铅、无卤素、RoHS合规:符合环保要求,便于在各种应用中使用。

    应用案例和使用建议


    - DC-DC转换器:NTLJS3113P特别适用于降压和升压电路,在便携式设备中使用,如手机和媒体播放器。
    - 负载开关:可以作为高侧负载开关,控制电源路径。
    使用建议:
    - 使用大铜箔面积有助于散热,降低热阻,提高器件可靠性。
    - 确保器件放置于合适位置,以充分利用暴露的漏极进行散热。
    - 尽量避免超过最大额定值,确保安全操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTLJS3113P 可与其他类似封装的器件互换,例如 NTLUS3A40P。
    - 支持:Semiconductors Components Industries 提供全面的技术支持和应用指导。

    常见问题与解决方案


    1. 如何避免过热?
    - 解决方法:确保正确安装散热器,并保持适当的环境温度。
    2. 如何测试 RDS(on) 是否正常?
    - 解决方法:使用数字万用表测量 RDS(on) 的电压降,或利用专业的测试仪器。
    3. 如何识别过流?
    - 解决方法:监控器件的温度,如有异常升高,应立即断开电源并检查电路。

    总结和推荐


    总体来看,NTLJS3113P是一款高性能、小体积、低功耗的P沟道MOSFET,适用于各种便携式设备中的电源管理和控制。由于其优越的热传导性、低RDS(on)和环保特性,使得它在实际应用中非常可靠。强烈推荐给需要在紧凑空间内实现高效电源管理的工程师和设计师们。
    通过本文的详细介绍,希望读者能够对NTLJS3113P MOSFET有一个全面的了解,并在实际应用中得到有效的帮助。

NTLJS3113PT1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 700mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 3A,4.5V
FET类型 1个P沟道
配置 独立式quaddrain
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.329nF@16V
栅极电荷 15.7nC@ 4.5 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 8V
Id-连续漏极电流 3.5A
长*宽*高 2mm*2mm*750μm
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTLJS3113PT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTLJS3113PT1G数据手册

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NTLJS3113PT1G封装设计

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