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NVATS5A108PLZT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 72W(Tc) 20V 2.6V@1mA 79.5nC@ 10V 1个P沟道 40V 10.4mΩ@ 35A,10V 77A 3.85nF@20V ATPAK-3 贴片安装
供应商型号: NVATS5A108PLZT4G-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVATS5A108PLZT4G

NVATS5A108PLZT4G概述


    产品简介


    NVATS5A108PLZ 是一款由 onsemi(安森美半导体)制造的高性能P通道功率MOSFET。这款MOSFET专为紧凑高效的设计而设计,并具备高热性能。它被广泛应用于汽车前照明、车身控制器等领域。NVATS5A108PLZ 已通过AEC-Q101认证并具有PPAP能力,适用于严苛的汽车应用环境。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): \(-40\) V
    - 漏极连续电流 \(ID\): \(-77\) A
    - 漏极脉冲电流 \(I{DP}\): \(-231\) A
    - 静态漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 \(-10\) V 下: \(10.4\) mΩ
    - 在 \(-4.5\) V 下: \(16.5\) mΩ
    - 输入电容 \(C{iss}\): \(3,850\) pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): \(560\) pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): \(390\) pF
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): \(-40\) V
    - 栅源电压 \(V{GSS}\): \(\pm 20\) V
    - 工作结温和存储温度 \(T{j}, T{stg}\): \(-55\) 至 \(+175\) °C
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): \(95\) mJ
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AV}\): \(-35\) A
    - 热阻抗
    - 结到外壳稳态热阻 \(R{\theta JC}\): \(2.0\) °C/W
    - 结到环境热阻 \(R{\theta JA}\): \(79.6\) °C/W

    产品特点和优势


    NVATS5A108PLZ 的显著特点是其低导通电阻(\(R{DS(on)}\)) 和高电流承载能力。它还经过了100%雪崩测试,确保其在极端条件下的可靠性和稳定性。此外,它的ATPAK封装与DPAK(TO-252)针脚兼容,方便集成和替换。同时,NVATS5A108PLZ 是无铅、无卤素且符合RoHS标准的,这使其成为环保应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    NVATS5A108PLZ 在汽车领域有着广泛应用,如反向电池保护、负载开关、汽车前照明系统及车身控制器等。为了充分发挥其性能,建议在设计时考虑以下几点:
    - 确保电路设计能够承受高达 \(-77\) A 的连续漏极电流。
    - 使用合适的散热片以降低热阻,提高长期稳定性和可靠性。
    - 确保栅极信号的频率不超过 1 MHz,以避免不必要的电容效应。

    兼容性和支持


    NVATS5A108PLZ 的ATPAK封装与DPAK封装针脚兼容,这意味着它可以很容易地与现有的DPAK封装产品进行替换,从而减少设计更改的需求。此外,onsemi 提供详细的技术文档和应用支持,确保客户能够顺利使用和集成该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何判断器件是否损坏?
    - 解决方案:检查器件的电气特性和热特性参数是否超出其绝对最大额定值。如果参数超过规定范围,应及时更换器件。
    2. 问题:在高频应用中,如何减少寄生电容的影响?
    - 解决方案:选择合适的电路布局和走线策略,减少信号回路长度,使用屏蔽措施来减小外部干扰。
    3. 问题:长时间高电流工作导致温度过高怎么办?
    - 解决方案:增加散热片面积或采用更高效的散热方式,例如液冷系统,确保器件工作温度保持在安全范围内。

    总结和推荐


    NVATS5A108PLZ 是一款集高可靠性和高性能于一体的功率MOSFET,特别适合于汽车及其他需要高效率和高可靠性的应用场合。其低导通电阻和高电流承载能力,以及良好的热性能,使其在市场上具备强大的竞争力。我们强烈推荐该产品给那些需要高性能功率管理的用户。

NVATS5A108PLZT4G参数

参数
最大功率耗散 72W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 10.4mΩ@ 35A,10V
栅极电荷 79.5nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.85nF@20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.6V@1mA
Id-连续漏极电流 77A
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 ATPAK-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVATS5A108PLZT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVATS5A108PLZT4G数据手册

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