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NVMFS6H858NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.5W(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 30µA 8.9nC@ 10 V 1个N沟道 80V 20.7mΩ@ 5A,10V 32A 510pF@40V DFN-5 贴片安装
供应商型号: 488-NVMFS6H858NT1GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6H858NT1G

NVMFS6H858NT1G概述

    NVMFS6H858N MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVMFS6H858N是一款单通道N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源设计而优化。该产品的主要功能是提供低导通电阻和紧凑的设计布局,适用于多种电源管理和驱动电路的应用领域。该MOSFET具有优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏极-源极电压(VDSS):80 V
    - 栅极-源极电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):29 A(TC=25°C),21 A(TC=100°C)
    - 最大功率耗散(PD):42 W(TC=25°C),21 W(TC=100°C)
    - 单脉冲漏极-源极雪崩能量(EAS):151 mJ
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 电气特性:
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):16.9 mΩ 至 20.7 mΩ(VGS=10 V,ID=5 A)
    - 输入电容(CISS):510 pF
    - 输出电容(COSS):80 pF
    - 逆向转移电容(CRSS):4.7 pF
    - 阈值电荷(QG(TOT)):8.9 nC
    - 转换电导率(gFS):36 S
    - 开启延时时间(td(ON)):8.0 ns
    - 关断延时时间(td(OFF)):19 ns
    - 二极管正向电压(VSD):0.8 V 至 1.2 V
    - 反向恢复时间(tRR):29 ns
    - 热阻抗:
    - 结到外壳热阻(RJC):3.5 °C/W
    - 结到环境热阻(RJA):42.5 °C/W

    产品特点和优势


    - 小体积设计:5x6 mm 封装尺寸,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:最小20.7 mΩ(@ 10 V),有效降低传导损耗。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷8.9 nC,有助于减少驱动器损耗。
    - 湿端封选项:提供湿端封(NVMFS6H858NWF),便于光学检查。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车应用。
    - 无铅且RoHS合规:环保材料制造。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该MOSFET适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动电路等应用场景。
    - 使用建议:
    - 在高频率工作环境下,应关注器件的热稳定性,确保散热良好。
    - 使用过程中应注意避免过压情况,以免损坏器件。
    - 定期检测漏电流,确保正常工作状态。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVMFS6H858N可以与其他标准封装的MOSFET互换,方便系统升级和改造。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和应用指南,支持工程师在设计过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何测试MOSFET的阈值电压?
    - 解决方案:通过测量栅极-源极电压(VGS)与漏极-源极电流(ID)的关系来确定阈值电压。
    - 问题2:MOSFET的热管理怎么做?
    - 解决方案:使用良好的散热片,并确保散热路径畅通无阻。
    - 问题3:在何种条件下MOSFET会达到最高功率耗散?
    - 解决方案:参考数据表中的“热阻抗”部分,确保在规定的工作条件下操作以避免过热。

    总结和推荐


    NVMFS6H858N MOSFET凭借其优秀的电气特性和紧凑的设计,成为高效电源管理的理想选择。其低导通电阻、高可靠性以及小封装尺寸,使其在众多应用中表现出色。强烈推荐在高频率和高效率要求的应用场合中使用此产品。
    本文档总结了NVMFS6H858N MOSFET的主要特点、优势及其在实际应用中的表现。对于需要高效率和高可靠性的电子系统,这款MOSFET是一个值得信赖的选择。

NVMFS6H858NT1G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20.7mΩ@ 5A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 30µA
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 32A
最大功率耗散 3.5W(Ta),42W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 510pF@40V
栅极电荷 8.9nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
通用封装 DFN-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS6H858NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6H858NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS6H858NT1G NVMFS6H858NT1G数据手册

NVMFS6H858NT1G封装设计

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