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FCB20N60F-F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 405W(Tc) 30V 5V@ 250µA 102nC@ 10 V 1个N沟道 600V 195mΩ@ 20A,10V 20A 2.035nF@25V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: FL-FCB20N60F-F085
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCB20N60F-F085

FCB20N60F-F085概述

    FCB20N60F-F085 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FCB20N60F-F085 是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种应用领域,如汽车电源转换。这款器件具有高电压、大电流处理能力和出色的开关性能,广泛应用于DC/DC转换器、车载充电器等。通过结合先进的SuperFET技术,它不仅能在高压环境下稳定运行,还提供了较低的导通电阻和较高的开关效率。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大耐压:600V
    - 连续漏极电流:20A
    - 瞬态脉冲漏极电流:参见图4
    - 单脉冲雪崩能量:217.8 mJ
    - 最大功率耗散:405W(25°C以上每摄氏度降额2.7W)
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C
    - 热阻(结到壳):0.37°C/W
    - 热阻(结到环境):43°C/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:600V
    - 漏源漏电电流:在600V时小于10μA
    - 门源泄漏电流:在±30V时小于±100nA
    - 门源阈值电压:3.0V~5.0V
    - 导通电阻(典型值):171mΩ(VGS=10V,ID=20A)
    - 输入电容:2305pF(VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz)
    - 输出电容:1310pF
    - 反向转移电容:105pF
    - 动态特性
    - 总栅极电荷(典型值):78nC(VGS=0V至10V)
    - 阈值栅极电荷:6.6nC~8.6nC
    - 上升时间:66ns(VDD=300V,ID=20A,VGS=10V,RG=25Ω)
    - 下降时间:42ns

    3. 产品特点和优势


    FCB20N60F-F085 MOSFET 采用了先进的SuperFET技术,具备以下特点:
    - 低导通电阻(rDS(on)):典型值为171mΩ,能够显著降低导通损耗。
    - 高雪崩能力:单脉冲雪崩能量高达217.8mJ,适合严苛的工作环境。
    - 卓越的开关性能:快速的上升时间和下降时间,减少开关损耗。
    - 高温适应性:可在-55°C至+150°C的宽广温度范围内工作,保证系统的稳定性和可靠性。
    - 环保设计:符合RoHS标准,无卤素,绿色制造。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车车载充电器
    - 混合动力和电动汽车的DC/DC转换器
    使用建议:
    - 在使用过程中,应注意散热设计,以避免过热损坏。
    - 考虑到其高温适应性,适合在高温环境中运行的应用。
    - 根据实际应用需求选择合适的驱动电路,以确保良好的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FCB20N60F-F085 可与其他常见的汽车级电子元件兼容,例如其他类型的MOSFET或相关的控制芯片。
    - 支持服务:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持,包括在线资源和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何测量导通电阻?
    - 解答:使用万用表或专用测试仪,在20A、VGS=10V条件下进行测量,正常情况下读数应在171mΩ左右。

    - 问题:如何防止过热?
    - 解答:合理规划散热路径,增加散热片或采用水冷等方式,同时根据负载情况调整驱动频率和占空比。

    7. 总结和推荐


    FCB20N60F-F085 N-Channel MOSFET凭借其卓越的性能、可靠的高温适应性和广泛的兼容性,在汽车和其他高电压应用中表现出色。对于需要高效、高可靠性的DC/DC转换应用,强烈推荐使用这款MOSFET。建议在使用前详细阅读技术手册,并根据具体应用需求进行相应的设计验证。

FCB20N60F-F085参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 195mΩ@ 20A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 20A
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.035nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 102nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 405W(Tc)
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

FCB20N60F-F085厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCB20N60F-F085数据手册

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FCB20N60F-F085封装设计

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