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NTD4804N-35G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.43W(Ta),107W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 40nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 4mΩ@ 30A,10V 117A 4.49nF@12V TO-251 通孔安装 6.73mm*2.38mm*6.22mm
供应商型号: CY-NTD4804N-35G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD4804N-35G

NTD4804N-35G概述

    NTD4804N/NVD4804N MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD4804N/NVD4804N 是一种 N 沟道功率 MOSFET,适用于单个开关应用。这些 MOSFET 具有低通态电阻(RDS(on))、低电容和优化的栅极电荷,以最大限度地减少导通损耗、驱动损耗和开关损耗。NVD4804N 版本符合 AEC-Q101 标准,确保其适合在汽车和其他严苛环境下使用。该系列 MOSFET 主要应用于 CPU 电源管理、直流-直流转换器和低压侧开关。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大耐压:30 V
    - 持续漏极电流:最大 117 A(TJ = 25°C)
    - 栅极-源极电压:±20 V
    - 功率耗散:最大 2.66 W(TJ = 25°C)
    - 电气特性
    - 开启阈值电压:1.5 V 至 2.5 V
    - 通态电阻(RDS(on)):4.0 mΩ(VGS = 10 V, ID = 30 A)
    - 传输电导:23 S
    - 输入电容:4490 pF
    - 输出电容:952 pF
    - 反向转移电容:556 pF
    - 温度系数
    - V(BR)DSS/TJ:26 mV/°C
    - VGS(TH)/TJ:7.6 mV/°C

    产品特点和优势


    - 低 RDS(on):确保最小的导通损耗,从而提高效率。
    - 低电容:降低驱动损耗,特别是在高频应用中。
    - 优化的栅极电荷:显著降低开关损耗。
    - AEC-Q101 认证:适用于汽车及工业领域的高可靠性需求。
    - 无铅且符合 RoHS:环保标准,满足国际规范。

    应用案例和使用建议


    - CPU 电源管理:通过低导通损耗和快速开关性能,提供高效稳定的电源供给。
    - 直流-直流转换器:适用于需要高性能和高可靠性的场合。
    - 低压侧开关:在电池供电系统中减少功耗,提升系统效率。
    - 使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,考虑栅极电荷的影响,以确保快速开关速度。
    - 在高温环境下,适当调整散热设计以避免过热问题。
    - 在高频应用中,注意寄生电感和电容对性能的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTD4804N/NVD4804N 可与现有的 PCB 设计和焊接工艺兼容,无需额外的设计改动。
    - 支持:厂商提供详细的订单信息、包装规格和焊接指导手册,确保客户可以轻松获取技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致性能下降
    - 解决办法:改善散热设计,例如增加散热片或改进 PCB 布局。
    - 问题2:驱动信号不稳定
    - 解决办法:检查驱动电路,确保栅极驱动信号足够强且稳定。
    - 问题3:反向恢复时间较长
    - 解决办法:选择合适的反向恢复时间短的二极管,减少逆变器的损耗。

    总结和推荐


    NTD4804N/NVD4804N 是一款性能卓越的 N 沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷,非常适合用于高效率的电源管理和转换应用。其高可靠性、环保特性以及完善的文档支持使其成为市场上同类产品的有力竞争者。建议在需要高效率、高可靠性的应用中采用此款 MOSFET。

NTD4804N-35G参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 30A,10V
配置 独立式
栅极电荷 40nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.49nF@12V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 117A
最大功率耗散 1.43W(Ta),107W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 6.73mm*2.38mm*6.22mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

NTD4804N-35G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD4804N-35G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTD4804N-35G NTD4804N-35G数据手册

NTD4804N-35G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.407 ¥ 3.5023
300+ $ 0.4033 ¥ 3.4708
500+ $ 0.3995 ¥ 3.4392
1000+ $ 0.3883 ¥ 3.2815
5000+ $ 0.3883 ¥ 3.2815
库存: 42006
起订量: 286 增量: 1
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