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FCH25N60N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 SupreMOS系列, Vds=600 V, 25 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: CY-FCH25N60N
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCH25N60N

FCH25N60N概述

    FCH25N60N MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FCH25N60N 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 SUPREMOS® 高压超结(SJ)技术。SUPREMOS® MOSFET 在深沟槽填充工艺方面具有显著优势,提供了最低的导通电阻(Rsp-on-resistance)、卓越的开关性能和坚固性。这种 MOSFET 适用于高频率开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

    技术参数


    以下是 FCH25N60N 的关键技术规格和性能参数:
    - 电压参数:
    - 漏源电压(VDS):600 V
    - 栅源电压(VGSS):±30 V
    - 漏极连续电流(ID):25 A(TC = 25°C),16 A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):75 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):861 mJ
    - 峰值二极管恢复电压(dv/dt):100 V/ns
    - 功耗(PD):216 W(TC = 25°C)
    - 静态参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):108 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V, ID = 12.5 A
    - 输入电容(Ciss):2520 pF(典型值)
    - 输出电容(Coss):103 pF(典型值)
    - 反向传输电容(Crss):3.2 pF(典型值)
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷(Qg(tot)):57 nC(典型值)
    - 开启延迟时间(td(on)):21 ns(典型值)
    - 关断延迟时间(td(off)):68 ns(典型值)
    - 热参数:
    - 热阻(RJC):最大 0.58 °C/W
    - 热阻(RJA):最大 40 °C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) = 108 mΩ(典型值),适合需要低损耗的应用。
    - 低栅极电荷:Qg = 57 nC(典型值),有助于减少开关损耗。
    - 低输出电容:Coss(eff.) = 262 pF(典型值),改善高频开关性能。
    - 耐雪崩能力:100% 雪崩测试通过,提高了可靠性。
    - 环保设计:无铅且符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    - 太阳能逆变器:FCH25N60N 在高频率下表现出色,适合用于太阳能逆变器,以提高能效。
    - AC-DC 电源供应器:其低导通电阻和低栅极电荷特性使其成为 AC-DC 电源供应器的理想选择。

    使用建议:
    - 在高频率应用中,考虑使用较小的栅极电阻来优化开关速度。
    - 在高温环境下使用时,注意散热管理以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    FCH25N60N 可与大多数标准电源转换器和其他电子元件兼容。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持和维护服务,包括数据表、应用指南和技术文档,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定正确的栅极驱动电压?
    - 解决方案:查阅数据表中的 VGS(th) 参数,确保栅极电压高于阈值电压(通常为 2.0 V 至 4.0 V)。
    - 问题:如何处理过高的温度?
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇,以保持温度在安全范围内。

    总结和推荐


    FCH25N60N MOSFET 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,特别适合于高频率开关电源转换器应用。其低导通电阻、低栅极电荷和优秀的耐雪崩能力使其在市场上具有显著的竞争优势。推荐在高频率开关电源转换器应用中使用该产品,特别是在太阳能逆变器和 AC-DC 电源供应器等领域。

FCH25N60N参数

参数
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.352nF@100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 126mΩ@ 12.5A,10V
最大功率耗散 216W(Tc)
栅极电荷 74nC@ 10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 25A
长*宽*高 15.87mm*4.82mm*20.82mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FCH25N60N厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCH25N60N数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCH25N60N FCH25N60N数据手册

FCH25N60N封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 3.2085 ¥ 26.6444
50+ $ 3.0702 ¥ 26.177
100+ $ 3.0149 ¥ 25.9433
300+ $ 2.9872 ¥ 25.7095
500+ $ 2.9596 ¥ 25.4758
1000+ $ 2.8766 ¥ 24.3072
5000+ $ 2.8766 ¥ 24.3072
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起订量: 38 增量: 1
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