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FCD9N60NTM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 92.6W(Tc) 30V 5V@ 250µA 17.8nC@ 10V 1个N沟道 600V 385mΩ@ 4.5A,10V 9A 1nF@100V TO-252 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: 1885780
供应商: element14
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCD9N60NTM

FCD9N60NTM概述

    FCD9N60NTM 600V N-Channel MOSFET

    产品简介


    FCD9N60NTM 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的高性能 600V N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点,适用于多种工业应用,包括电源管理、服务器和电信电源、平面电视电源、ATX 电源以及通用工业电源。

    技术参数


    FCD9N60NTM 的关键技术和性能参数如下:
    - 电压规格:
    - 最大漏源电压 (VDSS):600V
    - 极限栅源电压 (VGSS):±30V
    - 最大连续漏电流 (ID):9.0A(TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):27A
    - 热特性:
    - 热阻 (RθJC):1.5°C/W
    - 热阻 (RθJA):83°C/W
    - 动态特性:
    - 典型总栅电荷 (Qg(tot)):22.0nC(典型值)
    - 输入电容 (Ciss):930pF(典型值)
    - 输出电容 (Coss):35pF(典型值)
    - 静态特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.330Ω(典型值,VGS = 10V,ID = 4.5A)
    - 转移电导 (gFS):7.5S(典型值)
    - 开关特性:
    - 关断延迟时间 (td(off)):36.9ns(典型值)
    - 关断下降时间 (tf):10.2ns(典型值)

    产品特点和优势


    FCD9N60NTM 具备多项独特功能和优势,使其在市场上具备竞争力:
    - 超低栅极电荷:典型的栅极电荷 (Qg) 为 22nC,适合高速开关应用。
    - 低有效输出电容:这有助于减少开关损耗。
    - 100% 雪崩测试:保证在极端条件下的可靠性。
    - 符合 RoHS 标准:环保设计。

    应用案例和使用建议


    FCD9N60NTM 在多种应用场合中表现出色,包括:
    - AC-DC SMPS(开关模式电源):在功率因数校正(PFC)、服务器电源和电信电源等领域具有广泛的应用。
    - 平面电视电源:提供高效的能量转换,满足高能效标准。
    - ATX 电源:适用于计算机电源管理系统,提高系统效率。
    使用建议:
    1. 选择合适的驱动电路:由于栅极电荷较低,建议采用低驱动电阻以缩短开关时间。
    2. 注意散热管理:考虑热阻特性,确保适当的散热措施以保持长期可靠性。

    兼容性和支持


    - 封装和订货信息:D-PAK 封装,卷带尺寸为 380mm,带宽为 16mm,每卷 2500 个。
    - 支持和维护:Fairchild Semiconductor 提供全面的技术支持,确保产品性能和可靠性。

    常见问题与解决方案


    1. 高温下工作稳定性差:
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的散热。
    2. 开关损耗大:
    - 解决方案:优化驱动电路设计,降低栅极电荷。

    总结和推荐


    FCD9N60NTM 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,适用于多种高压和高功率应用。其独特的低栅极电荷和低输出电容特性使其成为电源管理系统的理想选择。综上所述,我们强烈推荐这款产品用于需要高效、可靠的高压应用场合。

FCD9N60NTM参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1nF@100V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 92.6W(Tc)
配置 独立式
Id-连续漏极电流 9A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
栅极电荷 17.8nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 385mΩ@ 4.5A,10V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FCD9N60NTM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCD9N60NTM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCD9N60NTM FCD9N60NTM数据手册

FCD9N60NTM封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.5244 ¥ 21.3308
10+ $ 2.3115 ¥ 19.5325
100+ $ 2.0385 ¥ 17.225
500+ $ 1.7718 ¥ 14.9717
2500+ $ 1.6269 ¥ 13.7475
5000+ $ 1.5756 ¥ 13.3142
7500+ $ 1.3846 ¥ 11.7
库存: 1592
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