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NVD5C648NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),72W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 39nC@ 10 V 1个N沟道 60V 4.1mΩ@ 45A,10V 18A,89A 2.9nF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: NVD5C648NLT4G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1059
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5C648NLT4G

NVD5C648NLT4G概述

    # MOSFET – Power, Single (NVD5C648NL)

    产品简介


    NVD5C648NL 是一款高性能的单个N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率转换和控制应用。它具有低导通电阻(RDS(on))、低门极电荷(QG)和电容等特性,能够显著减少开关损耗。此外,该器件通过了AEC-Q101认证并具备PPAP能力,适用于汽车和工业应用。该产品采用无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准,以满足环保要求。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):60V
    - 连续漏极电流(ID):在25°C时为89A;在100°C时为63A
    - 脉冲漏极电流(IDM):在25°C时为510A
    - 阈值电压(VGS(TH)):1.2至2.1V
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)):在10V时为3.4mΩ,在4.5V时为4.6mΩ
    - 输入电容(Ciss):2900pF(在1MHz时)
    - 输出电容(Coss):1300pF(在25V时)
    - 反向转移电容(Crss):28pF(在48V时)
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):在10V时为39nC
    - 开启延迟时间(td(on)):21ns(在4.5V时)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):能够显著降低导通损耗,提高效率。
    2. 低栅极电荷(QG)和电容:有助于降低驱动损耗,加快开关速度。
    3. 高可靠性:AEC-Q101认证和PPAP能力确保其适用于严苛的应用环境。
    4. 环保材料:无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准,有助于减少环境污染。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVD5C648NL广泛应用于各种电力转换系统,如DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理系统等。这些应用对其高效率和低损耗有着严格的要求,NVD5C648NL因其出色的性能表现而被广泛采用。
    使用建议
    1. 散热设计:考虑到其较高的连续漏极电流和功率耗散,需要合理的散热设计,例如使用散热片或风扇进行冷却。
    2. 电路布局:确保门极走线尽可能短,以减少寄生电感和电容,从而避免误触发和开关噪声。
    3. 测试验证:在应用前进行充分的电气和热测试,确保其性能符合预期,尤其是在高温和高压环境下。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVD5C648NL与现有系统兼容,适合多种电路设计。
    - 支持:ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术资料、样品申请和客户服务热线等。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过高的漏源电压?
    答:确保门极电压(VGS)不超过规定值,使用稳压器或缓冲电路来保护MOSFET免受过压冲击。
    2. 问:在高温度下运行时,应注意什么?
    答:在高温度环境下,应特别关注散热措施,避免因过热导致的器件损坏。建议增加散热片或使用高效散热器。

    总结和推荐


    总体而言,NVD5C648NL是一款非常适合高效率转换应用的MOSFET。它的低导通电阻和低驱动损耗使其成为理想的电源管理组件。结合其可靠性和环保特性,我们强烈推荐此产品给那些对性能和稳定性有严格要求的工程师和设计师。
    推荐指数:★★★★★

NVD5C648NLT4G参数

参数
栅极电荷 39nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.9nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
最大功率耗散 3.1W(Ta),72W(Tc)
配置 独立式
Id-连续漏极电流 18A,89A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ@ 45A,10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVD5C648NLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5C648NLT4G数据手册

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NVD5C648NLT4G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1059+ ¥ 7.8
3177+ ¥ 7.67
5295+ ¥ 7.54
10590+ ¥ 7.41
库存: 1059
起订量: 1059 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:1059
合计: ¥ 8260.2
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