处理中...

首页  >  产品百科  >  FQI5N30TU

FQI5N30TU

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.13W(Ta),70W(Tc) 30V 5V@ 250µA 13nC@ 10V 1个N沟道 300V 900mΩ@ 2.7A,10V 5.4A 430pF@25V I2PAK,TO-262 通孔安装 10.29mm*4.83mm*7.88mm
供应商型号: CY-FQI5N30TU
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQI5N30TU

FQI5N30TU概述


    产品简介


    Fairchild Semiconductor FQI5N30:300V N-Channel QFET
    FQI5N30是一款由Fairchild Semiconductor生产的300V N-通道增强模式功率场效应晶体管(QFET)。采用Fairchild独特的平面条带DMOS技术制造,适用于高效率开关DC/DC转换器和开关电源。此型号在最小化导通电阻、提供优异的开关性能和承受高能量脉冲方面具有明显优势。

    技术参数


    - 额定电流:5.4A
    - 最高电压:300V
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.9Ω(当VGS = 10V时)
    - 栅极电荷:典型值9.8nC
    - 反向恢复电容:典型值9.5pF
    - 快速切换能力
    - 经过100%雪崩测试验证
    - 改进的dv/dt能力

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:FQI5N30的导通电阻为0.9Ω(当栅极电压为10V时),这有助于降低损耗,提升效率。
    2. 快速切换:低栅极电荷(9.8nC)和低反向恢复电容(9.5pF)使得这款QFET能够实现快速开关操作。
    3. 可靠性高:所有产品均经过100%的雪崩测试,确保能够在极端条件下可靠运行。
    4. 优越的dv/dt能力:改进的dv/dt能力意味着可以更有效地处理高压快速变化的情况,提高了系统稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FQI5N30广泛应用于各类高效率开关电源中,如:
    - 高效DC/DC转换器
    - 开关电源模块
    - 工业控制设备
    - 照明控制
    使用建议
    1. 在进行设计时,考虑到FQI5N30的低栅极电荷和反向恢复电容,选择合适的驱动电路以确保最佳性能。
    2. 当使用FQI5N30于高频应用中时,需要注意印刷电路板布局,减少杂散电感的影响,从而避免不必要的热耗散。
    3. 由于其高耐压特性,该器件非常适合用于输入电压波动较大的系统中。

    兼容性和支持


    兼容性
    FQI5N30采用标准的TO-262封装(I2PAK),易于安装并与多种其他元器件兼容。此外,Fairchild Semiconductor提供了丰富的技术支持和资源,以帮助用户更好地理解和应用这些产品。
    支持
    - 样品申请:用户可以通过网站请求样品。
    - 技术支持:Fairchild Semiconductor还提供了分销商和现场销售代表的支持。
    - 质量与可靠性:确保产品符合严格的行业标准。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何提高开关频率?
    - 解答:适当选择栅极驱动器,并优化PCB布局,以减小寄生电感,有助于提高开关频率。
    2. 问题:FQI5N30在高温环境下的表现如何?
    - 解答:产品经过严格测试,能够承受高温度,但在设计时仍需考虑散热措施,以确保长期稳定运行。
    3. 问题:如何确认产品质量?
    - 解答:所有FQI5N30均通过100%雪崩测试,保证了高可靠性。

    总结和推荐


    FQI5N30凭借其低导通电阻、快速切换能力和高可靠性,在高效率开关电源的应用中表现出色。特别适合那些对性能要求较高的场合。因此,强烈推荐使用这款产品来满足您的电力电子需求。Fairchild Semiconductor提供的全面支持也使得产品更加值得信赖。
    以上是关于FQI5N30 300V N-通道QFET的产品概述和技术介绍。希望对您有所帮助!

FQI5N30TU参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 300V
最大功率耗散 3.13W(Ta),70W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 900mΩ@ 2.7A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 430pF@25V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 5.4A
栅极电荷 13nC@ 10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
长*宽*高 10.29mm*4.83mm*7.88mm
通用封装 I2PAK,TO-262
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

FQI5N30TU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQI5N30TU数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQI5N30TU FQI5N30TU数据手册

FQI5N30TU封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.4613 ¥ 3.9693
300+ $ 0.457 ¥ 3.9336
500+ $ 0.4528 ¥ 3.8978
1000+ $ 0.4401 ¥ 3.719
5000+ $ 0.4401 ¥ 3.719
库存: 1841
起订量: 252 增量: 1
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 396.93
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336