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FDN359BN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=30 V, 2.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 14M-FDN359BN
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDN359BN

FDN359BN概述

    FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDN359BN 是一款由ON Semiconductor生产的N-Channel Logic Level MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它采用先进的PowerTrench工艺制造,旨在减少导通电阻的同时保持出色的开关性能。该器件适用于低电压和电池供电的应用,如便携式设备、通信设备及计算机外设,因为这些应用对低内阻和快速开关的需求很高。

    技术参数


    以下是FDN359BN的技术规格和性能参数:
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅源电压 (VGSS):±20 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):2.7 A(脉冲可达15 A)
    - 最大功率耗散 (PD):0.5 W(具体取决于安装条件)
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 到 +150°C
    - 热阻 (RθJA):250 °C/W(在0.02平方英寸2盎司铜散热片上的值)
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - 在VGS = 10 V,ID = 2.7 A时为0.046 Ω
    - 在VGS = 4.5 V,ID = 2.4 A时为0.060 Ω
    - 在TJ = 125°C时为0.075 Ω
    - 输入电容 (Ciss):485 至 650 pF
    - 输出电容 (Coss):105 至 140 pF
    - 反向转移电容 (Crss):65 至 100 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):5 至 7 nC
    - 门限电压 (VGS(th)):1.0 至 3.0 V
    - 最大连续体二极管正向电流 (IS):0.42 A
    - 二极管反向恢复时间 (trr):12 至 20 ns
    - 二极管反向恢复电荷 (Qrr):3 至 5 nC

    产品特点和优势


    FDN359BN 具有多项独特功能和优势,使其在众多应用中脱颖而出:
    - 低导通电阻:在不同电压和电流下均能提供较低的导通电阻,有助于降低系统功耗。
    - 高开关速度:极快的开关速度有助于提高系统的效率。
    - 低栅极电荷:这可以减少驱动功率损耗,使系统更加高效。
    - 增强型封装:高功率处理能力,与标准SOT-23封装相比,提高了30%的功率承载能力。

    应用案例和使用建议


    FDN359BN 主要用于低电压和电池供电的场合,例如:
    - 便携式设备:利用其低内阻和高效率,适合用于电池供电的手持设备。
    - 通信设备:低功耗和快速响应的特性使得其在通信系统中表现出色。
    - 计算机外设:用于计算机接口和电源管理。
    使用建议:
    - 最佳性能:确保电路设计中充分考虑热管理和散热问题,特别是在高负载和高温环境中。
    - 测试验证:建议进行完整的电气特性测试以确保实际应用中的可靠性和性能。

    兼容性和支持


    FDN359BN 支持SOT-23封装,适用于标准的PCB设计。ON Semiconductor 提供广泛的技术支持和资源,帮助客户解决在使用过程中遇到的问题。此外,制造商还提供了详尽的数据表和技术文档,用户可以通过访问官方网站获得更多支持信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻是否随温度变化?
    - 解决方案:是的,导通电阻会随着温度的变化而变化。查看图表了解详细信息,并确保在实际应用中进行适当的温度补偿。

    - 问题2:栅极电荷对开关速度有何影响?
    - 解决方案:较高的栅极电荷会导致较大的开关损耗。因此,在设计电路时应尽量减小栅极电荷。

    总结和推荐


    综上所述,FDN359BN凭借其低导通电阻、高开关速度和增强的封装,成为低电压和电池供电应用的理想选择。该产品具有出色的设计和性能,适用于各种苛刻的应用环境。强烈推荐给需要高性能、低功耗解决方案的设计工程师。

FDN359BN参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 2.7A
最大功率耗散 500mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 650pF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 46mΩ@ 2.7A,10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 7nC@ 5 V
长*宽*高 2.92mm*1.4mm*950μm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDN359BN厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDN359BN数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDN359BN FDN359BN数据手册

FDN359BN封装设计

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10+ ¥ 0.2292
30+ ¥ 0.1813
100+ ¥ 0.1528
300+ ¥ 0.1398
3000+ ¥ 0.1294
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