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FQPF13N06L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=60 V, 10 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2454170
供应商: element14
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF13N06L

FQPF13N06L概述

    # FQPF13N06L N-Channel QFET® MOSFET 技术概述

    1. 产品简介


    FQPF13N06L 是一款高性能的 N 沟道增强模式功率 MOSFET,采用 Fairchild Semiconductor 自主研发的平面条纹(Planar Stripe)和 DMOS 技术制造。该器件具有低导通电阻(RDS(on) 最大值为 110 mΩ)、快速开关性能以及高雪崩能量承受能力,广泛应用于开关电源、音频放大器、直流电机控制以及变频开关电源等领域。
    主要特点:
    - 通道类型:N 沟道
    - 额定电压(VDS):60V
    - 额定电流(ID):连续 10A,脉冲 40A
    - 导通电阻(RDS(on)):110 mΩ(最大)
    - 具备高雪崩耐受能力,100% 经过雪崩测试

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要参数和技术规格:
    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源电压(VDS) | V | - | - | 60 |
    | 连续漏极电流(ID) | A | - | 10 | 7.1 |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | A | - | - | 40 |
    | 栅源电压(VGSS) | V | ±20 | - | ±20 |
    | 门电荷(Qg) | nC | - | 4.8 | 6.4 |
    | 反向转移电容(Crss) | pF | - | 17 | 23 |
    | 结温范围(TJ) | ℃ | -55 | - | 175 |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:110 mΩ 的最大导通电阻使得其在开关应用中功耗更低,效率更高。
    - 快速开关性能:典型值下,开关延迟时间为 8ns,上升时间为 90ns,能够满足高频开关需求。
    - 高可靠性:通过严格的 100% 雪崩测试,保证在高压冲击下的稳定性。
    - 卓越的热管理:TO-220F 封装结构具备良好的散热能力,适用于大功率应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器,提供高效的电力传输。
    - 电机控制:适合于直流电机驱动,提供平稳的启动和停止控制。
    - 音频放大器:提供低噪声、高保真的信号放大。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保栅极驱动电压不超过 ±20V 的限制,避免因过压导致器件损坏。
    - 考虑到高功率运行条件,应使用适当的散热器以延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    FQPF13N06L 支持标准 TO-220F 封装,易于与其他同类元件兼容。Fairchild Semiconductor 提供全面的技术支持和产品文档,用户可通过官网查询最新版本的产品编号和订单信息。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 调整栅极驱动电阻至更优值 |
    | 温度过高 | 安装高效散热片或改进散热路径 |
    | 工作电压超出范围 | 检查输入电压并确保其符合额定值 |

    7. 总结和推荐


    FQPF13N06L 是一款高效、可靠的功率 MOSFET,在多种应用场景中表现出色。其优越的性能和高性价比使其成为工业和消费电子领域的理想选择。强烈推荐此款器件用于需要高性能和稳定性的开关电源及电机控制应用中。

FQPF13N06L参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 350pF@25V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 5A,10V
栅极电荷 6.4nC@ 5 V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 24W(Tc)
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FQPF13N06L厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF13N06L数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF13N06L FQPF13N06L数据手册

FQPF13N06L封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.405
10+ ¥ 5.628
100+ ¥ 4.7145
500+ ¥ 3.843
1000+ ¥ 3.57
5000+ ¥ 3.465
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型号 价格(含增值税)
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