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FDD3670

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),83W(Tc) 20V 4V@ 250µA 80nC@ 10 V 1个N沟道 100V 32mΩ@ 7.3A,10V 34A 2.49nF@50V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: 2453398
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD3670

FDD3670概述

    FDD3670 100V N-Channel PowerTrench™ MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDD3670 是一款由 Semiconductor Components Industries 设计和制造的100V N-Channel PowerTrench™ 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专门用于提高直流/直流转换器的效率,无论采用同步还是传统开关PWM控制器。该 MOSFET 的特点是具有更快的开关速度和更低的栅极电荷,这使得它在高频率应用中更易于驱动且更加安全。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 100 V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 34 A
    - 最大耗散功率 \( PD \): 83 W (在 25°C 环境温度下)

    - 性能参数:
    - 通态电阻 \( R{DS(ON)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10 V \) 下为 32 mΩ
    - 在 \( V{GS} = 6 V \) 下为 35 mΩ
    - 栅极电荷 \( Qg \): 57 nC 典型值
    - 开关速度: 快速

    - 热特性:
    - 结壳热阻 \( R{\theta JC} \): 1.8°C/W
    - 结温到环境热阻 \( R{\theta JA} \): 96°C/W (最小安装焊盘)

    - 工作温度范围:
    - 工作结温范围: -55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    FDD3670 MOSFET 的关键优势在于其快速的开关速度和低栅极电荷。这些特点显著提高了效率,特别是在高频应用中。此外,由于其高功率和电流处理能力,FDD3670 在电源设计和各种工业应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适合于高性能的直流/直流转换器,尤其是在需要高效能和高频操作的电源供应系统中。
    - 使用建议:
    - 使用适当的散热措施来管理功耗,确保器件在安全范围内工作。
    - 注意控制栅极驱动电压以保持低通态电阻 \( R{DS(ON)} \)。
    - 考虑到热设计的重要性,确保散热片或其他散热措施的有效性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于需要 N-Channel MOSFET 的多种电路,尤其是要求高速度和低损耗的应用。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详细的技术支持和文档资源,以帮助用户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 高频应用中的稳定性问题
    - 解决方案:使用合适的栅极驱动电路,减少栅极电荷和开关损耗。

    - 问题 2: 散热问题
    - 解决方案:优化散热设计,使用适当的散热片和热界面材料。

    总结和推荐


    FDD3670 100V N-Channel PowerTrench™ MOSFET 在性能和可靠性方面表现优异,特别适用于需要高效能和高速度的直流/直流转换器和其他电源管理系统。我们强烈推荐此产品,尤其是在需要高频、高效率的应用场合。

FDD3670参数

参数
Id-连续漏极电流 34A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.49nF@50V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 7.3A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 80nC@ 10 V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.8W(Ta),83W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 100V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD3670厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD3670数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD3670 FDD3670数据手册

FDD3670封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 15.6704
10+ ¥ 11.8587
100+ ¥ 11.6469
500+ ¥ 11.6469
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