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FDMS3660AS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.2W@ Q 1,2.5W@ Q 2 ±20 @ Q 1|±12 @ Q 2 2.7V@ 250µA 30nC@ 10V 2个N沟道 30V 8mΩ@ 13A,10V 13A,30A 2.23nF@15V QFN 贴片安装 6mm*5mm*1.1mm
供应商型号: FDMS3660AS
供应商: 国内现货
标准整包数: 100
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS3660AS

FDMS3660AS概述

    FDMS3660AS PowerTrench® Power Stage 技术手册

    1. 产品简介


    FDMS3660AS 是一种高级的电源管理芯片,特别设计用于高效的同步降压转换器。它包含了两个专门设计的N沟道MOSFET(Q1 和 Q2),封装在一个双PQFN外壳内。该器件通过内部连接开关节点,简化了同步降压转换器的设计和布局。Q1 作为控制MOSFET,Q2 作为同步FET,二者均被设计为提供最佳的功率效率。

    2. 技术参数


    以下是FDMS3660AS的主要技术参数:
    | 参数 | 类型 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS (Drain to Source Voltage) | 额定值 | 30 30 | V |
    | VGS (Gate to Source Voltage) | 额定值 | ±20 ±12 | V |
    | ID (Drain Current -Continuous) | 额定值 | 56 130 | A |
    | EAS (Single Pulse Avalanche Energy) | 额定值 | 735 1506 | mJ |
    | PD (Power Dissipation for Single Operation) | 额定值 | 2.21 2.51 | W |
    | TJ, TSTG (Operating and Storage Junction Temperature Range) | 额定值 | -55 +150 | °C |
    | RθJA (Thermal Resistance, Junction to Ambient) | 额定值 | 57 50 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: Q1 在VGS = 10 V 时最大 rDS(on) 为 8 mΩ,在VGS = 4.5 V 时为 11 mΩ;Q2 在VGS = 10 V 时最大 rDS(on) 为 1.8 mΩ,在VGS = 4.5 V 时为 2.2 mΩ。这确保了在多种工作条件下的高效率。
    - 低寄生电感: 包装设计减少了寄生电感,缩短了上升/下降时间,从而降低了开关损耗。
    - MOSFET集成: 便于最优布局,降低电路寄生电感,减少开关节点振铃。
    - RoHS兼容: 符合环保要求,适用于广泛的工业应用。

    4. 应用案例和使用建议


    FDMS3660AS 主要应用于计算、通信及通用点负载等领域。具体应用案例包括笔记本电脑VCORE的电源管理和一般性的同步降压转换器设计。
    使用建议:
    - 确保在安装时采用适当的散热措施,避免过热影响性能。
    - 对于高功率应用场景,建议在PCB上留出足够的散热空间以提高散热效果。

    5. 兼容性和支持


    FDMS3660AS 可与其他兼容N沟道MOSFET的电源管理IC一起使用。ON Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,包括文档下载、在线支持和培训课程。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 开关频率过高导致的热应力问题。
    解决方法: 调整电路布局,增加散热措施,或者选择更高额定温度范围的器件。
    问题2: MOSFET出现过度导通现象。
    解决方法: 检查驱动信号,确保波形干净且无异常干扰。

    7. 总结和推荐


    FDMS3660AS凭借其优异的导通电阻、低寄生电感和高效率,成为高性能电源管理应用的理想选择。鉴于其广泛的适用性和良好的技术支持,我们强烈推荐该产品给需要高效电源管理解决方案的应用开发者和工程师。

FDMS3660AS参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 13A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 13A,30A
配置
最大功率耗散 2.2W@ Q 1,2.5W@ Q 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.23nF@15V
通道数量 2
Vgs-栅源极电压 ±20 @ Q 1|±12 @ Q 2
栅极电荷 30nC@ 10V
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V@ 250µA
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMS3660AS厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS3660AS数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS3660AS FDMS3660AS数据手册

FDMS3660AS封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 47.7504
300+ ¥ 46.9546
500+ ¥ 46.1587
1000+ ¥ 45.3629
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起订量: 100 增量: 3000
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