处理中...

首页  >  产品百科  >  NVB072N65S3

NVB072N65S3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 44 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 3010506
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVB072N65S3

NVB072N65S3概述

    NVB072N65S3 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVB072N65S3 是安森美半导体(onsemi)推出的第三代超级结(SJ) MOSFET 系列——SuperFET III。这款 N-Channel MOSFET 非常适用于汽车领域,特别是 PHEV-BEV(插电式混合动力电动汽车-纯电动汽车)的直流转换器和车载充电器。其主要功能是通过减少传导损耗和提高开关性能来实现高效能。它采用了平衡电荷技术,实现了出色的低导通电阻(RDS(on))和较低的栅极电荷(QG),并且能够承受极端的 dv/dt 速率。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30 V
    - 连续漏电流 (ID):44 A (TC = 25°C),28 A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):110 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):214 mJ
    - 重复雪崩能量 (EAR):3.12 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):312 W (TC = 25°C)
    - 热阻 (RθJA):最高值 62.5°C/W(最小铜箔2 oz)或 40°C/W(1平方英寸铜箔2 oz)

    产品特点和优势


    - 汽车级认证 (AEC-Q101):确保符合严格的汽车应用标准。
    - 高耐温性:最大结温可达 150°C,适用于极端工作环境。
    - 低导通电阻:典型值为 61 mΩ(TJ=25°C)和 107 mΩ(TJ=100°C)。
    - 超低栅极电荷:典型值为 82 nC。
    - 低有效输出电容:典型值为 724 pF。
    - 无铅且RoHS合规:确保环保要求。
    - 100%雪崩测试:保证产品的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 汽车 PHEV-BEV 直流转换器:用于将高压直流电源转换为低压直流电源。
    - 汽车车载充电器:用于电动汽车电池充电。
    - 使用建议:
    - 在设计时应注意散热问题,尤其是在高温环境下。
    - 在脉冲应用中要特别注意瞬态温度,避免过载。
    - 选择合适的驱动电路以优化 MOSFET 的性能,例如,使用合适的栅极电阻可以减小开关损耗。

    兼容性和支持


    - 封装形式:D2PAK-3。
    - 订单信息:可以通过官网或销售代表进行订购。
    - 支持和服务:提供详尽的技术文档和在线支持,客户还可以访问安森美的技术支持库获取更多资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 损坏。
    - 解决方法:检查是否超过绝对最大额定值,如 VDSS 和 ID。
    - 问题:散热不足导致性能下降。
    - 解决方法:改善散热系统,增加散热片或使用更高效的散热材料。
    - 问题:门极噪声干扰。
    - 解决方法:使用适当的滤波器或屏蔽线缆以减少电磁干扰。

    总结和推荐


    NVB072N65S3 是一款高性能、高可靠性、适用范围广泛的 MOSFET,特别适合于汽车领域的各种应用。其优异的性能、强大的保护特性和完善的兼容性使其在市场上具有很强的竞争优势。对于需要高效率、高可靠性的设计来说,NVB072N65S3 是一个非常值得推荐的选择。无论是在性能指标还是在应用领域,这款 MOSFET 都能满足多数用户的需求。

NVB072N65S3参数

参数
配置 独立式
最大功率耗散 312W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 72mΩ@ 24A,10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1mA
栅极电荷 82nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 330pF@400V
Id-连续漏极电流 44A
Vds-漏源极击穿电压 650V
长*宽*高 10.67mm(长度)
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVB072N65S3厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVB072N65S3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVB072N65S3 NVB072N65S3数据手册

NVB072N65S3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 45.7933
10+ ¥ 40.2981
100+ ¥ 39.5654
500+ ¥ 39.5654
800+ ¥ 39.5654
1600+ ¥ 39.5654
2400+ ¥ 39.5654
库存: 426
起订量: 2 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 45.79
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336