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NTBLS1D5N10MCTXG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.5mΩ TOLL-8L
供应商型号: 4305074
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTBLS1D5N10MCTXG

NTBLS1D5N10MCTXG概述

    NTBLS1D5N10MC MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTBLS1D5N10MC 是一款高性能的单通道 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TOLL 封装形式。其主要特点是低导通电阻(RDS(on)),低驱动损耗和低开关噪声/电磁干扰(EMI)。这种 MOSFET 广泛应用于电源管理、电机控制和其他高效率转换系统中。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 漏源电压 (VDSS): 100 V
    - 连续漏极电流 (ID): TC = 25°C 时 312 A, TC = 100°C 时 220 A
    - 最大耗散功率 (PD): TC = 25°C 时 322 W, TC = 100°C 时 161 W
    - 突发漏极电流 (IDM): 2055 A (TA = 25°C, tp = 10 µs)
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 10 V 时 1.5 mΩ
    - 阈值电压 (VGS(TH)): 2.0 V 至 4.0 V
    - 输出电容 (COSS): 5100 pF
    - 输入电容 (CISS): 10100 pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 84 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 131 nC
    - 开关特性:
    - 开启延时时间 (td(ON)): 39 ns
    - 关闭延时时间 (td(OFF)): 83 ns
    - 上升时间 (tr): 71 ns
    - 下降时间 (tf): 90 ns
    - 工作温度范围:−55°C 至 +175°C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:导通电阻低至 1.5 mΩ,可有效减少导通损耗。
    - 低驱动损耗:低输入电容和输出电容,使驱动损耗最小化。
    - 低开关噪声和 EMI:快速的开关时间和低反向恢复电荷有助于降低开关噪声和电磁干扰。
    - 无铅和符合 RoHS 标准:确保产品安全和环保。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:NTBLS1D5N10MC 可用于高效电源管理,特别是在需要高电流的应用中,如服务器电源、数据中心和工业电源。
    - 电机控制:由于其低开关噪声和低导通损耗,该 MOSFET 在电机控制应用中表现出色。
    - 高效率转换系统:适用于需要高效率转换的应用,例如光伏逆变器和不间断电源系统。
    使用建议:
    - 在设计中考虑散热措施,以避免过热导致的性能下降。
    - 使用合适的栅极电阻来优化开关性能。
    - 根据应用需求选择适当的栅极驱动电压和电流,以达到最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    NTBLS1D5N10MC 具有广泛的兼容性,可以与其他标准 N 沟道 MOSFET 互换使用。制造商 ON Semiconductor 提供详尽的技术支持和维护服务,包括在线技术支持和应用指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:产品在高温环境下无法正常工作。
    - 解决办法:检查散热设计,增加散热片或散热风扇以提高散热效果。

    - 问题:导通电阻过高。
    - 解决办法:确认 VGS 电压是否在推荐范围内,调整驱动电路以优化 VGS 电压。

    7. 总结和推荐


    NTBLS1D5N10MC MOSFET 是一款高性能、高可靠性的产品,特别适合于高效率、低损耗的应用场合。其低导通电阻和低驱动损耗使其成为电源管理和电机控制的理想选择。强烈推荐使用这款 MOSFET,特别是对效率和可靠性要求较高的应用。
    该手册提供了详细的规格和性能参数,帮助工程师更好地理解和使用这款 MOSFET。无论是从性能还是成本效益方面来看,NTBLS1D5N10MC 都是值得推荐的产品。

NTBLS1D5N10MCTXG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
通用封装 TOLL-8L

NTBLS1D5N10MCTXG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTBLS1D5N10MCTXG数据手册

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NTBLS1D5N10MCTXG封装设计

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