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NDD04N60ZT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 83W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 600V 2Ω@ 2A,10V 4.1A 640pF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: UNP-NDD04N60ZT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDD04N60ZT4G

NDD04N60ZT4G概述

    NDF04N60Z/NDD04N60Z N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NDF04N60Z 和 NDD04N60Z 是由 ON Semiconductor 提供的高性能 N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件主要用于高电压、大电流的应用场景,广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \(V{DSS}\): 600V
    - 连续漏极电流(\(R{\theta JC}\)):4.8A(NDF),4.1A(NDD)
    - 脉冲漏极电流(\(V{GS} @ 10V\)):20A
    - 最大功耗(\(R{\theta JC}\)):30W(NDF),83W(NDD)
    - 栅源电压 \(V{GS}\):±30V
    - 单脉冲雪崩能量(\(ID = 4.0A\)):120mJ
    - ESD(HBM)(JESD22-A114):3000V
    - 峰值二极管恢复率(\(V{DD} \leq BVDSS\), \(TJ = +150°C\)):4.5V/ns
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(\(V{GS} = 0 V\), \(ID = 1 mA\)):600V
    - 漏源泄漏电流(\(V{DS} = 600 V\), \(V{GS} = 0 V\)):1nA
    - 静态漏源导通电阻(\(V{GS} = 10 V\), \(ID = 2.0 A\)):1.8Ω 至 2.0Ω
    - 门限电压(\(V{DS} = V{GS}\), \(ID = 50 μA\)):3.0V 至 4.5V
    - 输入电容(\(V{DS} = 25 V\), \(V{GS} = 0 V\), \(f = 1.0 MHz\)):427pF 至 640pF
    - 输出电容(\(V{DS} = 25 V\), \(V{GS} = 0 V\), \(f = 1.0 MHz\)):50pF 至 75pF
    - 反向转移电容(\(V{DS} = 25 V\), \(V{GS} = 0 V\), \(f = 1.0 MHz\)):8pF 至 20pF
    - 总栅极电荷(\(V{DD} = 300 V\), \(ID = 4.0 A\), \(V{GS} = 10 V\)):10nC 至 29nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 最小为 1.8Ω,降低电路损耗。
    - 低栅极电荷:减少开关损耗,提高能效。
    - 静电保护二极管:提供额外的安全性。
    - 100% 冲击测试:确保长期可靠性。
    - 无铅、无卤素/溴化阻燃剂,符合 RoHS 规范:环保且安全性高。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:这些器件在各种高压电源转换器、电机控制电路和照明系统中得到广泛应用。
    - 使用建议:
    - 热设计:在高功率密度环境下,需考虑有效的散热措施,如使用散热片和良好的空气流通。
    - 驱动电路:确保驱动电路能够提供足够的门极驱动电流,避免导通不充分。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NDF04N60Z 和 NDD04N60Z 可与多种其他电子元器件兼容,适用于不同的封装形式,如 TO-220FP、IPAK 和 DPAK。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:高温度下的导通电阻增加。
    - 解决方案:在设计时需考虑适当的散热措施,确保工作温度不超过最大额定值。
    - 问题 2:门极电荷过高导致开关损耗增加。
    - 解决方案:优化驱动电路设计,减小门极电荷。

    7. 总结和推荐


    NDF04N60Z 和 NDD04N60Z 在高电压、大电流应用中表现出色,具有低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性和环保特性。适用于电源管理和电机驱动等应用场景。推荐在设计需要高效、可靠的高压系统时选用。
    以上是对 NDF04N60Z 和 NDD04N60Z N-Channel Power MOSFET 的详细介绍,涵盖了产品特点、技术参数及实际应用中的使用建议。希望这些信息能对您的设计工作有所帮助。

NDD04N60ZT4G参数

参数
Id-连续漏极电流 4.1A
通道数量 1
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 50µA
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 2A,10V
最大功率耗散 83W(Tc)
栅极电荷 29nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 640pF@25V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NDD04N60ZT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDD04N60ZT4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDD04N60ZT4G NDD04N60ZT4G数据手册

NDD04N60ZT4G封装设计

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