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NTMFS5C410NLTT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),167W(Tc) 20V 2V@ 250µA 143nC@ 10 V 1个N沟道 40V 900μΩ@ 50A,10V 50A,330A 8.862nF@25V SO-FL-8 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NTMFS5C410NLTT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS5C410NLTT1G

NTMFS5C410NLTT1G概述

    MOSFET – Power, Single, N-Channel: NTMFS5C410NLT 技术手册概览
    本文将详细介绍由安森美半导体公司(ON Semiconductor)生产的NTMFS5C410NLT N沟道MOSFET的性能和应用情况。NTMFS5C410NLT以其小巧的封装和出色的电气特性在市场上占有一席之地。

    产品简介


    NTMFS5C410NLT是一款N沟道功率MOSFET,主要特点如下:
    - 封装:小型封装(5x6 mm),适合紧凑设计。
    - 额定电压:40 V。
    - 最大电流:330 A(在25°C时)。
    - 导通电阻:0.82 mΩ(在10 V,50 A条件下)。
    - 主要功能:通过低导通电阻和优化的驱动损耗来最小化功率损耗。
    - 应用领域:广泛应用于电源管理、电机控制和通信设备等领域。

    技术参数


    以下是NTMFS5C410NLT的主要技术参数,详细描述了其电气特性和工作条件:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 40 | - | - | V |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | - | - | 250 | µA |
    | 栅极-源极漏电流 | IGSS | - | - | 100 | nA |
    | 栅极阈值电压 | VGS(TH) | 1.2 | 2.0 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.82 | - | - | mΩ |
    | 门电荷 | QG(TOT) | 66 | - | 143 | nC |
    | 门至源电荷 | QGS | 21.4 | - | - | nC |
    | 门至漏电荷 | QGD | 22 | - | - | nC |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 900 | - | - | A |

    产品特点和优势


    NTMFS5C410NLT具有多个显著特点,使其在市场上脱颖而出:
    - 小尺寸:提供紧凑的设计选项。
    - 低导通电阻:最小化了导通损耗,提高了效率。
    - 优化的门电荷:降低了驱动损耗,提升了整体性能。
    - 湿气可检测端子:提供了增强的光学检查选项(NTMFS5C410NLTWF版本)。
    - 无铅、无卤素、符合RoHS标准:环保材料,确保长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的描述,NTMFS5C410NLT适用于多种场景,例如电源转换、电机控制和通讯设备。对于设计者而言,可以通过选择合适的门电阻来优化开关性能,从而减少开关损耗。建议在高电流应用中优先考虑其卓越的热特性,以防止过热损坏。

    兼容性和支持


    该产品与其他电子元件和设备具有良好的兼容性,可广泛应用于各种电路设计中。安森美半导体公司提供了详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,我们整理了一些用户可能会遇到的问题及其解决方案:
    - 问:如何确保MOSFET在高电流下不损坏?
    - 答:在高电流应用中,合理设计散热系统并选择适当的封装是关键。同时,使用低导通电阻型号(如NTMFS5C410NLT)可以降低内部温升,提高安全性。
    - 问:如何解决高温下的失效问题?
    - 答:选择适合高温度应用的型号,并合理布局散热片或采用液体冷却系统来改善热管理。

    总结和推荐


    综上所述,NTMFS5C410NLT N沟道MOSFET凭借其高效、可靠和灵活的特点,非常适合于需要高性能电源管理和高效率转换的应用场合。无论是用于工业自动化还是通信基础设施,它都能提供卓越的表现。因此,我们强烈推荐这一产品作为电源管理和电机控制领域的理想选择。

NTMFS5C410NLTT1G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 900μΩ@ 50A,10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 143nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 50A,330A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.862nF@25V
配置 -
最大功率耗散 3.8W(Ta),167W(Tc)
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTMFS5C410NLTT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS5C410NLTT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C410NLTT1G NTMFS5C410NLTT1G数据手册

NTMFS5C410NLTT1G封装设计

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