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FDD20AN06A0-F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 90W(Tc) 20V 4V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个N沟道 60V 20mΩ@ 45A,10V 8A,45A 950pF@25V TO-252AA 贴片安装
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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD20AN06A0-F085

FDD20AN06A0-F085概述

    FDD20AN06A0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDD20AN06A0-F085 是一款高性能的 N 沟道 PowerTrench MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的电气特性和可靠性。该产品适用于多种工业和汽车应用,如电机/车身负载控制、防抱死制动系统(ABS)、动力传动管理、喷射系统、直流-直流转换器和离线不间断电源(UPS)等。此外,它也适用于分布式电源架构和电压调节模块(VRMs)中的初级开关,特别适用于 12V 和 24V 系统。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDSS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 在 TC = 25°C,VGS = 10V 时:45A
    - 在 TC = 100°C,VGS = 10V 时:32A
    - 在 Tamb = 25°C,VGS = 10V,RθJA = 52°C/W 时:8A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):50mJ
    - 功率耗散 (PD):90W
    - 热阻 (RθJC):1.67°C/W
    - 热阻 (RθJA):100°C/W
    - 反向恢复时间 (trr):32ns
    - 反向恢复电荷 (QRR):25nC
    - 总栅极电荷 (Qg(TOT)):15nC (典型值),在 VGS = 10V 时
    - 阈值栅极电荷 (Qg(TH)):2nC (最小值),在 VGS = 0V 到 2V 时
    - 栅极至源极电荷 (Qgs):6nC (典型值)
    - 栅极至漏极电荷 (Qgd):4.5nC (典型值)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (rDS(ON)):17mΩ(典型值),在 VGS = 10V,ID = 45A 时
    - 低米勒电荷:有助于提高开关速度和效率
    - 低反向恢复电荷 (QRR):减少电磁干扰 (EMI)
    - 抗雪崩能力:支持单脉冲和重复脉冲雪崩测试
    - 符合 AEC-Q101 标准:满足汽车行业严格的要求

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机/车身负载控制:适用于电动机控制,如风扇和泵的驱动。
    - ABS 系统:提供可靠的制动控制,防止车轮抱死。
    - 动力传动管理:用于发动机管理系统,实现高效的能源管理。
    - 喷射系统:精确控制燃油喷射量,提高燃烧效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑 MOSFET 的散热需求,确保足够的散热片面积和良好的空气流通。
    - 选择合适的栅极驱动电阻以优化开关性能,减少开关损耗。
    - 使用适当的 PCB 布局,确保信号完整性并减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的直流-直流转换器和 UPS 设备兼容。
    - 支持:ON Semiconductor 提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的 SPICE 模型和应用笔记。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的漏电流导致功耗过高。
    - 解决方案:检查 VGS 是否设置正确,确保不超过额定值。
    - 问题:反向恢复电荷高,引起 EMI 问题。
    - 解决方案:使用肖特基二极管或其他方法减少反向恢复电荷。
    - 问题:高温环境下性能下降。
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或使用更好的 PCB 材料。

    7. 总结和推荐


    FDD20AN06A0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 在性能、可靠性和易用性方面表现出色。它适用于多种工业和汽车应用,提供了优异的电气特性和抗雪崩能力。建议在需要高性能和高可靠性的场合使用该产品。ON Semiconductor 提供了全面的技术支持,包括详细的文档和应用笔记,确保用户能够充分利用该产品的优势。因此,我们强烈推荐此产品给需要高效、可靠 MOSFET 解决方案的设计工程师。

FDD20AN06A0-F085参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 8A,45A
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 19nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 45A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 950pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 90W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 -
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDD20AN06A0-F085厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD20AN06A0-F085数据手册

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FDD20AN06A0-F085封装设计

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