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NTMFS5C430NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 200 A, DFN封装, 表面贴装, 5引脚
供应商型号: 31M-NTMFS5C430NLT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS5C430NLT1G

NTMFS5C430NLT1G概述

    NTMFS5C430NL MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMFS5C430NL 是一种 N 沟道功率 MOSFET,属于单片封装类型。其主要功能是用于开关电源电路中的低损耗转换。这款 MOSFET 被广泛应用于各种电力系统、电机驱动、工业控制、消费电子产品和电信设备等领域。

    2. 技术参数


    以下是 NTMFS5C430NL 的主要技术参数:
    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DSS}\):40 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\):±20 V
    - 持续漏电流 \(ID\):200 A(\(TC=25^\circ C\)),140 A(\(TC=100^\circ C\))
    - 最大耗散功率 \(PD\):110 W(\(TC=25^\circ C\)),53 W(\(TC=100^\circ C\))
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):493 mJ
    - 最高结温和存储温度 \(TJ, T{STG}\):\(-55^\circ C \sim +175^\circ C\)
    - 热阻抗:
    - 结到外壳的稳态热阻 \(R{JC}\):1.4 \(^\circ C/W\)
    - 结到环境的稳态热阻 \(R{JA}\):40 \(^\circ C/W\)
    - 电气特性:
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):1.4 mΩ(\(V{GS}=10 V, ID=50 A\)),2.2 mΩ(\(V{GS}=4.5 V, ID=50 A\))
    - 门限电压 \(V{GS(TH)}\):1.2 V 至 2.0 V
    - 输入电容 \(C{ISS}\):4300 pF
    - 输出电容 \(C{OSS}\):1900 pF
    - 反向传输电容 \(C{RSS}\):72 pF
    - 总栅极电荷 \(Q{G(TOT)}\):32 nC(\(V{GS}=4.5 V, V{DS}=20 V\)),70 nC(\(V{GS}=10 V, V{DS}=20 V\))

    3. 产品特点和优势


    - 小尺寸封装: NTMFS5C430NL 具有 5x6 mm 的紧凑尺寸,适合空间受限的应用。
    - 低导通电阻: 低至 1.4 mΩ 的导通电阻,能够有效减少导通损耗。
    - 低栅极电荷: 低栅极电荷(\(QG\))和电容特性,有助于减少驱动器损耗。
    - 无铅且符合 RoHS: 高度环保,适用于对无铅材料有要求的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源: NTMFS5C430NL 在开关电源中表现出色,特别适合于高频开关应用。
    - 电机驱动: 适用于驱动各种类型的电动机,确保高效能和低功耗。
    - 工业控制: 由于其高性能,适用于各种工业控制装置。
    使用建议:
    - 确保电路设计时充分考虑散热需求,特别是在高负载条件下。
    - 在设计电源电路时,注意栅极驱动的设计,以减小驱动损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NTMFS5C430NL 可以与其他标准 N 沟道 MOSFET 和控制器配合使用,具备良好的互操作性。
    - 技术支持: ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高负载条件下温度过高。
    - 解决方案: 加强散热措施,例如增加散热器或改进散热设计。
    - 问题: 导通电阻异常高。
    - 解决方案: 确认驱动电压和驱动电流是否满足要求,检查电路是否有接触不良现象。

    7. 总结和推荐


    NTMFS5C430NL 是一款具有高效率、低损耗特性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种应用场景。其紧凑的封装、优秀的电气性能和高度的可靠性使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐使用这款 MOSFET,尤其是在需要高性能和低功耗的场合。

NTMFS5C430NLT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 200A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 70nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.8W(Ta),110W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.3nF@20V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ@ 50A,10V
通道数量 1
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 DFN-5,SO-8FL,SOP-8,SOT-23,TO-220
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS5C430NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS5C430NLT1G数据手册

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NTMFS5C430NLT1G封装设计

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