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NVD5C668NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 NVD5C668NL系列, Vds=60 V, 49 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: NVD5C668NLT4G
供应商: 国内现货
标准整包数: 100
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5C668NLT4G

NVD5C668NLT4G概述


    产品简介


    NVD5C668NL是一款单通道N沟道功率MOSFET,额定电压为60V,最大连续漏极电流为49A。这款MOSFET适用于需要高效能和低损耗的应用场景,广泛应用于汽车、工业控制、电源转换等领域。由于其出色的热性能和快速开关特性,它在高频和高功率应用中表现尤为出色。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = 60 V
    - 最大栅源电压:VGS = ±20 V
    - 连续漏极电流:TJ = 25°C 时 ID = 49 A;TJ = 100°C 时 ID = 34 A
    - 功率耗散:TJ = 25°C 时 PD = 44 W;TJ = 100°C 时 PD = 22 W
    - 热阻抗:
    - 结至外壳(RJC)= 3.4 °C/W
    - 结至环境(RJA)= 48.7 °C/W
    - 漏极至源极导通电阻:RDS(on) @ 10 V = 8.9 mΩ @ 25°C,@ 4.5 V = 12.8 mΩ @ 25°C
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 250 A @ TJ = 25°C, tp = 10 μs
    - 热特性:
    - 源电流(体二极管):IS = 25 A
    - 单脉冲漏极至源极雪崩能量:EAS = 104 mJ
    - 铅焊温度:TL = 260°C
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    NVD5C668NL具备以下几个显著的特点和优势:
    - 低RDS(on):确保最小化的导通损耗,非常适合需要高效率的应用。
    - 低QG和电容:降低驱动损耗,有助于提高整体系统效率。
    - AEC-Q101认证:适合汽车应用,保证了产品的质量和可靠性。
    - 无铅、无卤素/无BFR且符合RoHS标准:对环保友好,减少有害物质的使用。

    应用案例和使用建议


    NVD5C668NL被广泛应用于汽车、工业控制和电源转换等应用场景。例如,在车载电池管理系统中,它可用于高效管理和分配电力。在工业自动化领域,它可以用于控制电动机和其他高功率设备。
    使用建议:
    1. 在高温环境下使用时,要注意散热设计以避免过热损坏。
    2. 尽量选择合适的驱动电路以充分发挥其低导通电阻的优势。
    3. 在高频开关应用中,注意选择适当的栅极电阻以避免电磁干扰。

    兼容性和支持


    NVD5C668NL采用DPAK封装,可方便地焊接在印刷电路板上。其兼容性强,可与其他常见的电子元器件一起使用。ON Semiconductor提供了详尽的技术支持,包括在线文档、技术咨询和技术培训等,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装NVD5C668NL?
    - 解决方案:确保按照正确的焊接和布局指南进行安装,特别是在高功率应用中需要注意良好的散热设计。

    2. 问题:设备在高温下出现过热现象怎么办?
    - 解决方案:可以通过增加散热片或改进PCB布局来改善散热效果。也可以考虑使用更大的散热片或水冷系统来帮助散热。

    总结和推荐


    NVD5C668NL是一款高性能的单通道N沟道功率MOSFET,其在低导通电阻、低驱动损耗和良好的热性能方面表现出色。特别适用于汽车、工业控制和电源转换等领域。它的无铅、无卤素设计和环保特性使其在市场上具有很高的竞争力。鉴于这些优势,我们强烈推荐该产品给需要高效率和可靠性的用户。

NVD5C668NLT4G参数

参数
配置 独立式
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.9mΩ@ 25A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@25V
最大功率耗散 44W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 8.7nC@ 4.5 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
Id-连续漏极电流 49A
FET类型 1个N沟道
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.51mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVD5C668NLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5C668NLT4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD5C668NLT4G NVD5C668NLT4G数据手册

NVD5C668NLT4G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 5.424
500+ ¥ 5.3336
1000+ ¥ 5.2432
2000+ ¥ 5.1528
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