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NVTFS5C673NLTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),46W(Tc) 20V 2V@ 250µA 9.5nC@ 10 V 1个N沟道 60V 9.8mΩ@ 25A,10V 13A,50A 880pF@25V WDFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: 14M-NVTFS5C673NLTAG
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5C673NLTAG

NVTFS5C673NLTAG概述

    NVTFS5C673NL Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVTFS5C673NL 是一款由 ON Semiconductor 生产的低压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。其主要特征包括:小尺寸封装(3.3mm x 3.3mm),极低的导通电阻(9.8 mΩ)以减少传导损耗,低电容特性以降低驱动损耗,通过AEC-Q101认证,符合RoHS标准。此产品广泛应用于紧凑型设计的电源转换器、电机控制、通信设备以及其他需要高效率和小型化解决方案的应用场景。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): 60V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 连续漏电流 (稳态): TC=25°C时为50A;TC=100°C时为35A
    - 最大功率耗散 (稳态): TC=25°C时为46W;TC=100°C时为23W
    - 脉冲漏电流 (TP=10μs): TA=25°C时为290A
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 到 +175°C
    - 体二极管的正向源电流: 52A
    - 单脉冲雪崩能量: IL(pk)=2.3A时为88mJ
    - 焊接时的引脚温度: TL=260°C
    - 电气特性
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\): VGS=10V, ID=25A时为9.8mΩ;VGS=4.5V, ID=25A时为15mΩ
    - 输入电容 \(C{ISS}\): VGS=0V, f=1MHz, VDS=25V时为880pF
    - 输出电容 \(C{OSS}\): 450pF
    - 反向传输电容 \(C{RSS}\): 11pF
    - 总栅电荷 \(Q{G(TOT)}\): VGS=4.5V, VDS=48V, ID=25A时为4.5nC;VGS=10V, VDS=48V, ID=25A时为9.5nC
    - 开启延时时间 \(td(ON)\): VGS=10V, VDS=48V, ID=25A时为6.0ns

    产品特点和优势


    - 紧凑型设计:尺寸仅为3.3mm x 3.3mm,适用于空间受限的设计场景。
    - 低RDS(on):极低的导通电阻(9.8mΩ)可以显著降低功率损耗。
    - AEC-Q101认证:通过汽车电子标准认证,确保高可靠性。
    - 环保设计:无铅且符合RoHS标准,适合对环保要求较高的应用。
    - 高性能:快速的开关特性使其适用于高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:NVTFS5C673NL被广泛应用于电池管理系统、DC-DC转换器、通信设备及电机驱动器等领域。在电池管理系统中,该器件可以帮助提高电池充电和放电过程中的效率,同时减小整体系统尺寸。
    - 使用建议:在设计时应注意散热管理,确保电路板有足够的铜层以利于热扩散。此外,在选择外部元件时应考虑到MOSFET的开关频率和输入输出电容匹配,以优化整体系统的效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVTFS5C673NL具有良好的通用性,可与多种控制器和其他电子组件配合使用。ON Semiconductor提供了详细的电气特性和物理尺寸资料,确保其易于集成到现有的电路设计中。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供全方位的技术支持服务,包括在线文档、样品请求和技术咨询热线,方便用户在开发过程中获取必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备无法正常启动
    - 解决方法:检查输入电压是否满足设备的要求,确认栅极信号正确无误。
    - 问题2:发热严重
    - 解决方法:检查PCB布局和散热措施是否到位,增加散热片或增大铜箔面积。
    - 问题3:输出电流不稳定
    - 解决方法:检查负载情况,调整驱动电阻以改善MOSFET的开关速度。

    总结和推荐


    NVTFS5C673NL凭借其紧凑的外形、优异的电气特性和高度的可靠性,在众多应用场景中表现出色。它不仅能够提升系统效率,还能简化设计复杂度。总体而言,该产品非常值得推荐用于追求高性能和紧凑设计的电子工程项目中。

NVTFS5C673NLTAG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9.8mΩ@ 25A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 880pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 9.5nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 13A,50A
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.1W(Ta),46W(Tc)
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 WDFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS5C673NLTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5C673NLTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS5C673NLTAG NVTFS5C673NLTAG数据手册

NVTFS5C673NLTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.1628
10+ ¥ 4.6921
30+ ¥ 3.6747
100+ ¥ 3.2495
300+ ¥ 3.1281
1500+ ¥ 3.037
库存: 6919
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