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FCH067N65S3-F155

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 FCH067N65S3系列, Vds=650 V, 44 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: FCH067N65S3-F155
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCH067N65S3-F155

FCH067N65S3-F155概述

    文章:FCH067N65S3 N-Channel SuperFET® III MOSFET 技术综述

    1. 产品简介


    FCH067N65S3 是 Fairchild Semiconductor 推出的一款高性能 N-Channel SuperFET® III MOSFET,属于高电压超级结(SJ)MOSFET 系列。该产品基于电荷平衡技术设计,具有卓越的低导通电阻(RDS(on))和更低的栅极电荷(Qg),适合需要小型化和高效能的电源系统应用。FCH067N65S3 的典型额定值为 650V 击穿电压、44A 最大电流和 67mΩ 最大导通电阻,采用 TO-247 封装。
    该产品广泛应用于计算设备、服务器、电信设备、太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等领域,通过出色的性能帮助系统实现更高的效率和可靠性。

    2. 技术参数


    以下是 FCH067N65S3 的关键技术参数:
    | 参数 | 值 |

    | 击穿电压(V(BR)DSS) | 650V ±30V |
    | 最大栅极电压(VGS Max) | 4.5V |
    | 开启阈值电压(VGS(th)) | 4.5V |
    | 最大连续电流(ID Max) | 44A |
    | 最大耗散功率(PD Max) | 312W |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ @ VGS=10V |
    | 栅极电荷(Qg Typ) | 78nC @ VGS=4.5V |
    | 输出电容(Ciss Typ) | 3090pF |
    | 工作温度范围(TJ) | -55°C 至 +150°C |
    此外,FCH067N65S3 提供优秀的开关性能,支持极端 dV/dt 能力,并通过 100% 雪崩测试,确保在恶劣环境下的可靠性。产品符合 RoHS 规范。

    3. 产品特点和优势


    FCH067N65S3 的主要特点和优势如下:
    - 卓越的低导通电阻:典型 RDS(on) 仅为 67mΩ,确保高效的能量转换。
    - 低开关损耗:极低的有效输出电容(Coss(eff) = 715pF)和超低栅极电荷(Qg = 78nC)显著降低了开关损耗。
    - 高可靠性:击穿电压高达 700V(@ TJ = 150°C),保证了在极端温度条件下的稳定性。
    - 环保设计:RoHS 合规,满足现代绿色能源需求。
    - 优化的电容分布:增强的电容特性有助于进一步提升整体性能。
    这些特点使 FCH067N65S3 成为高效率、高可靠性的理想选择,适用于计算、通信和新能源领域。

    4. 应用案例和使用建议


    FCH067N65S3 广泛应用于多种电子系统,例如:
    - 服务器和电信设备:用于高效率的电源管理,降低运行成本并提高系统稳定性。
    - 太阳能逆变器和 UPS:优化逆变效率,减少能耗损失。

    使用建议:
    - 在设计中应考虑 FCH067N65S3 的最大连续电流(44A),避免过载操作。
    - 利用其低开关损耗特性,可以采用更高频率的开关方案以减小磁性元件尺寸。
    - 由于其支持雪崩能力,设计时需注意保护电路免受浪涌冲击。

    5. 兼容性和支持


    FCH067N65S3 可与市场上主流的高电压电源管理系统兼容,支持现有的设计架构。Fairchild Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,用户可通过官网联系当地销售团队获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是可能遇到的问题及解决方法:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常升高 | 检查 VGS 是否达到要求(建议 >10V)。 |
    | 开关损耗过高 | 调整驱动电路,优化 Qg 和 Coss 分布。 |
    | 环境温度超过额定范围 | 使用散热片或优化通风设计。 |

    7. 总结和推荐


    FCH067N65S3 N-Channel SuperFET® III MOSFET 是一款高性能的高电压 MOSFET,具有卓越的导通电阻、低开关损耗和广泛的适用性。无论是服务器、太阳能逆变器还是其他需要高效率和高可靠性的场景,它都能提供出色的表现。因此,我们强烈推荐此产品作为高性能电源管理解决方案的理想选择。
    如需进一步了解或技术支持,请访问 [ON Semiconductor 官网](www.onsemi.com)。

FCH067N65S3-F155参数

参数
FET类型 2个N沟道
配置 独立式withbuilt-indiode
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 288nC
Rds(On)-漏源导通电阻 990μΩ@ 36A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.43nF@ 25V
通道数量 -
最大功率耗散 2.5W(Ta),104W(Tc)
长*宽*高 15.87mm*4.82mm*20.82mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

FCH067N65S3-F155厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCH067N65S3-F155数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155数据手册

FCH067N65S3-F155封装设计

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