处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS5C460NWFT1G

NVMFS5C460NWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Ta),50W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个N沟道 40V 5.3mΩ@ 35A,10V 19A,71A 1nF@25V SO-8FL-8 贴片安装
供应商型号: 488-NVMFS5C460NWFT1GCT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C460NWFT1G

NVMFS5C460NWFT1G概述


    产品简介


    NVMFS5C460N 是一款单片 N 沟道 MOSFET,属于功率半导体系列。它设计用于高效率应用,具有小型封装(5x6mm)和紧凑的设计,适合多种电子产品中的电力管理。此款 MOSFET 的主要功能包括低导通电阻 (RDS(on)) 和较低的栅极电荷 (QG),以减少传导和驱动损耗。此外,NVMFS5C460N 还具备湿法侧翼选项 (WF),适用于需要增强光学检查的应用。产品已通过 AEC-Q101 认证并具备生产件批准程序 (PPAP) 能力,且无铅且符合 RoHS 标准。

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS):40 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C:71 A
    - TC = 100°C:50 A
    - 功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C:50 W
    - TC = 100°C:25 W
    - 脉冲漏极电流 (IDM):352 A (tp = 10 μs)
    - 最高工作温度 (TJ):-55 至 +175°C
    - 零栅源泄漏电流 (IGSS):100 nA (VDS = 0 V, VGS = 20 V)
    - 断态漏源击穿电压 (V(BR)DSS):40 V
    - 导通阻抗 (RDS(on)):4.4 mΩ 至 5.3 mΩ (VGS = 10 V, ID = 35 A)
    - 输入电容 (CISS):1000 pF
    - 输出电容 (COSS):530 pF
    - 反向转移电容 (CRSS):22 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)):16 nC

    产品特点和优势


    NVMFS5C460N 主要特点包括:
    - 小型封装:5x6mm 封装,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为 4.4 mΩ 至 5.3 mΩ,有效降低导通损耗。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷仅为 16 nC,有助于减少驱动损耗。
    - 湿法侧翼选项:适用于增强光学检测。
    - 通过 AEC-Q101 认证:适用于汽车和其他高可靠性要求的应用。
    - 无铅且 RoHS 合规:环保且安全。
    这些特点使 NVMFS5C460N 在众多应用中表现出色,尤其适用于电源管理和高效能电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电动汽车充电系统:作为高效率的功率转换开关,帮助提高电池充电速度和效率。
    2. 通信设备电源管理:用于电源转换模块,提高整体能效。
    3. 工业控制设备:在电机驱动系统中作为开关元件,提供可靠的控制和高效的能量转换。
    使用建议
    - 散热设计:由于高电流处理能力,合理规划散热路径是关键。使用大面积铜箔可以有效提升散热效果。
    - 保护电路设计:为避免损坏,建议加入适当的过流和过压保护电路。
    - 电路布局:尽量缩短驱动线路,以减少信号延迟和噪声干扰。

    兼容性和支持


    NVMFS5C460N 可与大多数标准 PCB 制造工艺兼容,适用于 SMD 生产线。制造商提供了详尽的技术支持文档和培训资料,以确保客户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:产品在高温下的表现如何?
    答:NVMFS5C460N 的最高工作温度可达 175°C。然而,在极端高温环境下,建议增加散热措施以保证其正常运行。
    2. 问:如何处理栅极电荷导致的开关损耗问题?
    答:选择适当的栅极电阻和优化驱动电路设计,可有效降低开关损耗。建议参考相关技术文档以获取更多细节。

    总结和推荐


    NVMFS5C460N 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高效率电力管理应用。其紧凑的尺寸、低导通电阻、低栅极电荷等特性使其在市场上具备强大的竞争力。我们强烈推荐使用此产品来实现高效能的电力转换和管理。
    如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请联系当地的销售代表或访问官方网站获取更多信息。

NVMFS5C460NWFT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.6W(Ta),50W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 5.3mΩ@ 35A,10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 19A,71A
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1nF@25V
栅极电荷 16nC@ 10 V
通用封装 SO-8FL-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C460NWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C460NWFT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C460NWFT1G NVMFS5C460NWFT1G数据手册

NVMFS5C460NWFT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.7255 ¥ 23.0305
10+ $ 1.586 ¥ 13.2728
100+ $ 1.0833 ¥ 9.0656
500+ $ 0.8682 ¥ 7.2653
库存: 1470
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 23.03
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336