处理中...

首页  >  产品百科  >  FDFM2P110

FDFM2P110

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2W(Ta) 12V 1.5V@ 250µA 4nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 140mΩ@ 3.5A,4.5V 3.5A 280pF@10V DFN 贴片安装 3mm*3mm*800μm
供应商型号: FL-FDFM2P110
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDFM2P110

FDFM2P110概述

    FDFM2P110 Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

    1. 产品简介


    FDFM2P110 是一款集成的P通道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管的电子元器件。它结合了Fairchild先进的PowerTrench MOSFET技术和具有低正向电压降的肖特基势垒整流器的优点,适用于Buck Boost转换电路。该器件专为单个封装的解决方案而设计,旨在提供快速开关、低栅极电荷的MOSFET,同时具备非常低的导通电阻。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压:±12 V
    - 漏源电压:-20 V
    - 漏极连续电流:-3.5 A
    - 漏极脉冲电流:-10 A
    - 重复峰值反向电压:20 V
    - 平均正向电流:2 A
    - 最大功耗(稳态):2 W
    - 最大功耗(动态):0.8 W
    - 工作和存储结温范围:-55至+150℃
    - 电气特性
    - 导通电阻(典型值):VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 140 mΩ;VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 200 mΩ
    - 输入电容:CISS = 280 pF(VDS = -10 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容:COSS = 65 pF(VDS = -10 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 反向传输电容:CRSS = 35 pF(VDS = -10 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 总栅极电荷:Qg = 34 nC(VDS = -10 V,ID = -3.5 A,VGS = -4.5 V)

    3. 产品特点和优势


    FDFM2P110 的独特功能和优势包括:
    - 高效的PowerTrench MOSFET技术
    - 低正向电压降的肖特基二极管
    - 快速开关能力
    - 极低的导通电阻
    - 微型封装(3x3 mm),适用于空间受限的应用

    4. 应用案例和使用建议


    FDFM2P110 在Buck Boost转换器中有广泛的应用。以下是一些使用建议:
    - 确保散热设计合理,以避免过热问题。
    - 使用低阻抗电源以减少栅极驱动损耗。
    - 在高频应用中,考虑采用适当的PCB布局以降低寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品与大多数标准的PCB设计兼容。
    - ON Semiconductor提供了详尽的技术支持和产品文档,确保客户能够充分利用其性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品温度过高?
    - 解决方案:确保散热设计符合要求,如添加散热片或采用更有效的散热材料。
    - 问题2:栅极驱动不正常?
    - 解决方案:检查栅极电阻和驱动信号质量,确保栅极驱动波形无噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    FDFM2P110是一款高性能的集成P通道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管,特别适合用于需要高效率和小体积的应用场合。其优异的电气性能和紧凑的封装使其在市场上具有较强的竞争力。因此,我们强烈推荐在合适的应用中使用该产品。
    如需进一步了解ON Semiconductor及其产品线,请访问 [www.onsemi.com](http://www.onsemi.com)。

FDFM2P110参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 2
配置
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@ 3.5A,4.5V
栅极电荷 4nC@ 4.5 V
最大功率耗散 2W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 280pF@10V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 3.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
长*宽*高 3mm*3mm*800μm
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDFM2P110厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDFM2P110数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDFM2P110 FDFM2P110数据手册

FDFM2P110封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.2857 ¥ 2.4195
库存: 582000
起订量: 2086 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.41
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336