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NTBGS001N06C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 NTBGS系列, Vds=60 V, 342 A, TO-263-7封装, 表面贴装, 7引脚
供应商型号: NTBGS001N06C
供应商: 国内现货
标准整包数: 2
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTBGS001N06C

NTBGS001N06C概述

    NTBGS001N06C MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTBGS001N06C 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 D2PAK7 封装。它主要用于开关电源和驱动电路中,适用于需要低导通损耗、低栅极驱动损耗以及降低开关噪声的应用场景。典型应用包括:电动工具、电池驱动的吸尘器、无人机/无人驾驶飞机、物料搬运系统、电池管理系统(BMS)/存储系统以及家庭自动化设备。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS):60V
    - 连续漏电流 (ID):342A (TA = 25°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):1724A (tp = 100µs)
    - 结到壳热阻 (RJC):0.61°C/W
    - 结到环境热阻 (RJA):40°C/W
    - 栅极阈值电压 (VGS(TH)):2.0~4.0V
    - 导通电阻 (RDS(on)):1.1mΩ (VGS = 12V, ID = 112A)
    - 输入电容 (CISS):11110pF (VGS = 0V, VDS = 30V, f = 500kHz)
    - 输出电容 (COSS):6250pF
    - 反向转移电容 (CRSS):54pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)):139nC (VGS = 10V, VDS = 30V, ID = 112A)
    - 开关延迟时间 (td(ON)):41.1ns
    - 关断延迟时间 (td(OFF)):92ns
    - 反向恢复时间 (tRR):112ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):可显著减少导通损耗,适合高效率应用。
    - 低栅极电荷 (QG(TOT)):可以降低驱动损耗,提高整体效率。
    - 低漏电流 (IDSS):在栅极短路情况下具有较低的漏电流。
    - 温度稳定性:即使在高温环境下,其性能依然稳定。
    - 环保材料:无铅、卤素自由、BFR 自由且符合 RoHS 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    NTBGS001N06C 在电动工具、电池驱动的吸尘器、无人机、物料搬运系统等设备中得到了广泛应用。例如,在电动工具中,它可以作为开关电源的主控 MOSFET,提供高效的电力转换。对于无人机,可以用于电机驱动,确保可靠的电力供应。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,注意选择合适的栅极电阻以优化开关速度和效率。
    - 确保良好的散热设计,以维持 MOSFET 的工作温度在安全范围内。
    - 使用时需遵循相关的安全标准和法规,特别是对于电池驱动设备。

    5. 兼容性和支持


    NTBGS001N06C 与多种常见的电子元器件和设备兼容。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线资源和技术支持热线。详细的订购信息可以在 ON Semiconductor 官方网站上找到。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问:在高温环境中使用时,是否会影响 MOSFET 的性能?
    答:尽管 MOSFET 在高温下依然保持较高性能,但仍需关注热管理,避免因过热导致性能下降或损坏。
    2. 问:如何确定 MOSFET 的最佳工作条件?
    答:根据具体应用场景,通过测量和验证 MOSFET 在不同工作条件下的性能参数,以确保最佳的工作状态。

    7. 总结和推荐


    NTBGS001N06C 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻、低栅极驱动损耗和优异的温度稳定性。适用于各种高效率应用场合。强烈推荐在电动工具、无人机及物料搬运系统等领域使用该产品。用户应根据具体需求,合理配置和使用该产品,确保最佳效果和可靠性。

NTBGS001N06C参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 342A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1mΩ@ 112A,12V
最大功率耗散 3.7W(Ta),245W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 562µA
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11.11nF@30V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 139nC@ 10 V
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTBGS001N06C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTBGS001N06C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTBGS001N06C NTBGS001N06C数据手册

NTBGS001N06C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2+ ¥ 105.5941
200+ ¥ 104.5369
400+ ¥ 99.3014
800+ ¥ 94.9877
1600+ ¥ 91.1886
3200+ ¥ 88.4523
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