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NTMYS3D5N04CTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Ta),68W(Tc) 20V 3.5V@ 60µA 23nC@ 10V 1个N沟道 40V 3.3mΩ@ 50A,10V 24A,102A 1.6nF@25V LFPAK-4 贴片安装
供应商型号: CY-NTMYS3D5N04CTWG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMYS3D5N04CTWG

NTMYS3D5N04CTWG概述

    NTMYS3D5N04C N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTMYS3D5N04C 是一种 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于电力电子应用。这款 MOSFET 具有紧凑的设计和低导通电阻,使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。其小体积和高性能使得它广泛应用于消费电子产品、工业自动化系统和汽车电子设备。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 40V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \):
    - \( TC = 25°C \): 102A
    - \( TC = 100°C \): 72A
    - 功率耗散 \( PD \):
    - \( TC = 25°C \): 68W
    - \( TC = 100°C \): 34W
    - 单脉冲漏极-源极雪崩能量 \( E{AS} \): 215mJ
    - 引脚焊接温度 \( TL \): 260°C
    - 电气特性:
    - 断态漏源击穿电压 \( V(BR){DSS} \): 40V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \):
    - \( TJ = 25°C \): 10μA
    - \( TJ = 125°C \): 100μA
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): 100nA
    - 导通状态栅阈电压 \( V{GS(TH)} \): 2.5V 至 3.5V
    - 导通状态漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 3.3mΩ @ 10V, \( ID = 50A \)
    - 输入电容 \( C{ISS} \): 1600pF @ \( V{GS} = 0V \), \( f = 1MHz \), \( V{DS} = 25V \)

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑封装:采用 5x6mm 的 LFPAK4 封装,提供更小的板级占用空间。
    - 低导通电阻:\( R{DS(on)} \)仅为 3.3mΩ,有助于减少传导损耗。
    - 高驱动效率:低输入电容 \( C{ISS} \) 和输出电容 \( C{OSS} \),减少了驱动器损耗。
    - 可靠性高:无铅且符合 RoHS 标准,适合环保要求高的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在电源管理模块中作为开关器件。
    - 在电机驱动电路中作为功率转换器。

    - 使用建议:
    - 确保栅极驱动电压不超过额定值,避免过压损坏。
    - 考虑散热措施,特别是在高温环境下运行时。
    - 结合具体应用需求调整栅极电阻,以优化开关时间。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTMYS3D5N04C 与同类标准 N 沟道 MOSFET 兼容,适用于大多数通用电路设计。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和在线支持,包括电路设计指南和故障排除手册。客户可通过技术支持网站获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流下发现温度异常升高。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如增加散热片或改进 PCB 设计以提高热导率。
    - 问题2:频繁出现开关损耗过高。
    - 解决方案:检查电路设计中的栅极电阻设置,适当降低电阻以减小开关时间。

    7. 总结和推荐


    NTMYS3D5N04C 是一款出色的 N 沟道 MOSFET,具备紧凑封装、低导通电阻和高可靠性等特点,适合多种应用场合。我们强烈推荐此产品给需要高性能功率控制的工程师和设计师。无论是在消费电子还是工业自动化领域,这款 MOSFET 都将为您的设计带来显著的优势。

NTMYS3D5N04CTWG参数

参数
栅极电荷 23nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 1
最大功率耗散 3.6W(Ta),68W(Tc)
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 60µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.6nF@25V
Id-连续漏极电流 24A,102A
Rds(On)-漏源导通电阻 3.3mΩ@ 50A,10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 LFPAK-4
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMYS3D5N04CTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMYS3D5N04CTWG数据手册

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NTMYS3D5N04CTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.8279 ¥ 7.1244
300+ $ 0.8203 ¥ 7.0602
500+ $ 0.8127 ¥ 6.9961
1000+ $ 0.79 ¥ 6.6751
5000+ $ 0.79 ¥ 6.6751
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