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NVMFS5H610NLWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Tc),52W(Tc) 2V@ 40µA 13.7nC@ 10 V 1个N沟道 60V 10mΩ@ 8A,10V 13A;48A 880pF@30V SO 贴片安装
供应商型号: FL-NVMFS5H610NLWFT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5H610NLWFT1G

NVMFS5H610NLWFT1G概述

    NVMFS5H610NL/NVMFS5H610NLWF 电子元器件技术手册

    产品简介


    NVMFS5H610NL/NVMFS5H610NLWF 是一款由 Semiconductor Components Industries, LLC 生产的小型单极 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种晶体管适用于多种电力电子应用,如开关电源、马达驱动器、照明系统和其他需要高效能转换的应用场合。它们提供紧凑的设计和出色的电气特性,确保低导通损耗和低驱动损耗。

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS):60 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C:48 A
    - TC = 100°C:34 A
    - 功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C:52 W
    - TC = 100°C:26 W
    - 热阻抗 (RJC/RJA):
    - RJC:2.9 °C/W
    - RJA:42 °C/W
    - 单脉冲漏极电流 (IDM):243 A
    - 雪崩耐量 (EAS):175 mJ
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +175°C
    - 漏源击穿电压温度系数 (V(BR)DSS/TJ):39.2 mV/°C
    - 零栅压漏电流 (IDSS):
    - TJ = 25°C:10 μA
    - TJ = 125°C:250 μA
    - 栅源漏电流 (IGSS):100 nA
    - 栅阈电压 (VGS(TH)):
    - VGS = VDS, ID = 40 μA:1.2 V ~ 2.0 V
    - 温度系数:-5.0 mV/°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 8 A:8.0 mΩ ~ 10 mΩ
    - VGS = 4.5 V, ID = 7 A:10.5 mΩ ~ 13 mΩ
    - 输入电容 (CISS):880 pF
    - 输出电容 (COSS):150 pF
    - 反向传输电容 (CRSS):6.0
    - 栅极电荷 (QG(TOT)):
    - VGS = 10 V, VDS = 30 V, ID = 8 A:13.7 nC
    - VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 8 A:6.4 nC
    - 开关延迟时间 (td(ON)):9.5 ns
    - 上升时间 (tr):23 ns
    - 关断延迟时间 (td(OFF)):22 ns
    - 下降时间 (tf):6 ns
    - 二极管正向压降 (VSD):
    - TJ = 25°C:0.8 V ~ 1.2 V
    - TJ = 125°C:0.65 V
    - 反向恢复时间 (tRR):24 ns
    - 反向恢复电荷 (QRR):17 nC

    产品特点和优势


    1. 小封装尺寸:5x6 mm 的紧凑设计,便于空间有限的设计。
    2. 低导通电阻 (RDS(on)):最大限度降低导通损耗。
    3. 低栅极电荷 (QG(TOT)):降低驱动损耗。
    4. 符合 AEC-Q101 标准:适用于汽车电子领域。
    5. 无铅且符合 RoHS 标准:环保友好,满足国际标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于马达驱动、LED 照明控制、太阳能逆变器、电动汽车充电桩等。
    - 使用建议:
    - 在设计时考虑散热管理,以防止过热。
    - 使用适当尺寸的 PCB 和铜箔垫,以提高散热效率。
    - 遵循最佳栅极驱动技术,以优化开关速度和降低损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与现有设备和电路板进行无缝集成,支持 AEC-Q101 标准。
    - 支持和维护:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和客户服务,确保用户获得最佳体验。通过电子邮件和电话都可以获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的结温导致性能下降。
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或风扇。
    - 问题2:开关速度不稳定。
    - 解决方案:检查栅极驱动电阻值,确保适当的栅极驱动电压。
    - 问题3:漏电流过大。
    - 解决方案:确保正确的电路连接和良好的接地。

    总结和推荐


    NVMFS5H610NL/NVMFS5H610NLWF 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,非常适合应用于高要求的电力电子领域。其紧凑的封装、优秀的电气特性以及广泛的应用范围使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高效率和紧凑设计的应用中使用此产品。

NVMFS5H610NLWFT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 880pF@30V
Id-连续漏极电流 13A;48A
栅极电荷 13.7nC@ 10 V
最大功率耗散 3.6W(Tc),52W(Tc)
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 8A,10V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 40µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5H610NLWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5H610NLWFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5H610NLWFT1G NVMFS5H610NLWFT1G数据手册

NVMFS5H610NLWFT1G封装设计

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