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NTLJD4116NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 2.5 A, WDFN封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: 11M-NTLJD4116NT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTLJD4116NT1G

NTLJD4116NT1G概述

    NTLJD4116N Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTLJD4116N 是一款由 Semiconductors Components Industries 生产的 Power MOSFET,属于 N 沟道双路类型。它具有出色的热传导能力和极低的导通电阻(RDS(on)),适用于各种应用场合。主要应用于直流-直流转换器、负载开关、电池管理等领域。

    技术参数


    - 电压规格:
    - 漏源电压 (VDSS):30V
    - 栅源电压 (VGS):±8.0V
    - 最大连续漏电流 (ID):2.5A (TA=25°C),1.8A (TA=85°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):20A (tp = 10µs)
    - 功率规格:
    - 最大功率耗散 (PD):0.71W (TA=25°C),2.3W (t≤5s)

    - 工作温度范围:
    - 工作温度 (TJ, TSTG):-55°C 至 150°C

    - 其他参数:
    - 阈值电压 (VGS(TH)):0.4V 至 1.0V
    - 导通电阻 (RDS(on)):47mΩ @ 4.5V, 2.0A;90mΩ @ 2.5V, 2.0A
    - 开关时间参数:上升时间 (tr) 为 11.8ns,下降时间 (tf) 为 1.7ns

    产品特点和优势


    NTLJD4116N 的最大特点是其封装具有裸露的漏极焊盘,提供了卓越的热传导能力。此外,它具有较低的导通电阻和1.5V 的阈值电压,使得它能够在低电压栅极驱动逻辑电平下工作。其小巧的 2x2 mm 封装与 SC-88 尺寸相同,但性能更优,使其非常适合于便携式设备如手机、PDA 和媒体播放器中的电池和负载管理应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 直流-直流转换器(降压和升压电路)
    - 低侧负载开关
    - 高侧负载开关的电平转换

    - 使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到其高阈值电压,可能需要选择合适的栅极驱动器来确保 MOSFET 在低电压下正常工作。
    - 确保 PCB 设计符合制造商推荐的最小铜箔尺寸,以实现最佳的热管理和性能。
    - 在负载切换应用中,考虑其反向恢复时间和恢复电荷参数,以避免不必要的能量损耗和热应力。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - NTLJD4116N 采用 WDFN6 封装,具有与 SC-88 封装相同的 2x2 mm 尺寸,因此容易替换传统封装的器件。

    - 支持:
    - ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理过高的热耗散?
    - 解决方案: 确保散热片与 MOSFET 之间的良好接触,可采用散热膏或其他热界面材料。此外,优化 PCB 设计,增加散热孔或大面积铜箔区域。

    2. 问题:栅极驱动电压不稳定如何影响 MOSFET 性能?
    - 解决方案: 使用专用的栅极驱动器 IC,确保栅极电压稳定在安全范围内。避免直接使用低压电源对 MOSFET 进行驱动,以免影响其性能和可靠性。

    3. 问题:负载切换时的开关频率和损耗如何优化?
    - 解决方案: 根据具体应用需求调整开关频率,使用适当的栅极电阻(通常 0.37Ω)来减小开关损耗。同时,优化栅极驱动电路,减少开关过渡期间的能量损耗。

    总结和推荐


    综上所述,NTLJD4116N 以其低导通电阻、出色的热传导能力和广泛的工作温度范围,在众多应用中表现优异。它特别适合用于需要高效能和高可靠性的便携式电子设备中。强烈推荐在类似应用中使用该产品。

NTLJD4116NT1G参数

参数
通道数量 2
最大功率耗散 1.5W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ@ 2A,4.5V
Vgs-栅源极电压 8V
配置
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 3.7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 427pF@15V
栅极电荷 6.5nC@ 4.5V
长*宽*高 2mm*2mm*750μm
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTLJD4116NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTLJD4116NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTLJD4116NT1G NTLJD4116NT1G数据手册

NTLJD4116NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.4761 ¥ 3.9753
10+ $ 0.4081 ¥ 3.4074
30+ $ 0.3571 ¥ 2.9815
100+ $ 0.3007 ¥ 2.5107
500+ $ 0.2857 ¥ 2.3852
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