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NTMFS4936NCT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 920mW(Ta),43W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 43nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.8mΩ@ 30A,10V 11.6A,79A 3.044nF@15V DFN 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NTMFS4936NCT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4936NCT1G

NTMFS4936NCT1G概述


    产品简介


    产品名称:NTMFS4936N/NCT
    产品类型: 30V N-Channel MOSFET
    主要功能:
    - 高效能功率开关,用于直流到直流转换器和CPU电源管理。
    - 低导通电阻(RDS(on))设计,以降低传导损耗。
    - 改进的体二极管特性,提供了类似肖特基二极管的软恢复性能。
    应用领域:
    - CPU电源管理
    - 直流到直流转换器
    - 高频开关电源

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 最大持续漏电流(TJ=25°C) | ID | 19.5 | A |
    | 最大脉冲漏电流 | IDM | 235 | A |
    | 最高结温 | TJ | -55 to +150 | °C |
    | 输入电容 | CISS | 3044 | pF |
    | 输出电容 | COSS | 1014 | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | 39
    | 门限电压 | VGS(TH) | 1.2~2.2 | V |
    | 导通电阻(VGS=10V, ID=30A) | RDS(on) | 3.8 | mΩ |
    | 门电荷 | QG(TOT) | 19 | nC |
    | 热阻(结到壳) | RJC | 2.9 | °C/W |
    | 热阻(结到环境) | RJA | 47.7 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:具备极低的导通电阻(RDS(on)),确保在工作时能高效减少能量损耗。
    - 快速开关特性:出色的开关性能,具备非常快的上升时间和下降时间,可减少驱动器和开关损耗。
    - 环保特性:无铅(Pb-Free)、无卤素和溴化物,符合RoHS标准,适合绿色环保的应用需求。
    - 增强型体二极管:具有改进的软恢复性能,提供类似肖特基二极管的特性,适用于需要高频率切换的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在CPU电源管理系统中,利用NTMFS4936N/NCT可以实现高效的电源转换和能量管理。
    - 在DC-DC转换器的设计中,该MOSFET有助于提高系统效率和可靠性。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,建议采用较大的散热片或散热器以保证MOSFET的正常工作温度。
    - 为防止过压损坏,可在电路中增加保护二极管或瞬态电压抑制器。
    - 设计电路时,应充分考虑寄生电感和电容对MOSFET的影响,尽量减少寄生参数。

    兼容性和支持


    - 该MOSFET采用标准SO-8 FL封装,易于与其他同类封装的产品进行互换。
    - 厂商提供了详细的技术手册和技术支持服务,能够帮助用户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下,MOSFET的工作电流是否会受到限制?
    - 解决方案: 是的,在高温环境下,MOSFET的工作电流会受到限制。根据技术手册中的热阻参数,可以选择合适的散热措施来保证其正常工作。
    - 问题:如何确定是否需要外部栅极电阻?
    - 解决方案: 外部栅极电阻可以根据应用要求来选择。如果需要更精细的控制或者更高的开关速度,则可以考虑添加适当的外部栅极电阻。

    总结和推荐


    综上所述,NTMFS4936N/NCT是一种高性能的N-Channel MOSFET,具有多种优势,如低导通电阻、快速开关特性以及环保特性。非常适合应用于CPU电源管理和DC-DC转换器中。考虑到其在各种条件下的出色表现和广泛应用领域,强烈推荐给需要高效能和高可靠性的客户。

NTMFS4936NCT1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.8mΩ@ 30A,10V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
最大功率耗散 920mW(Ta),43W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.044nF@15V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 11.6A,79A
配置 独立式
栅极电荷 43nC@ 10 V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4936NCT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4936NCT1G数据手册

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NTMFS4936NCT1G封装设计

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