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FDB110N15A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=150 V, 92 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: FDB110N15A
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB110N15A

FDB110N15A概述


    产品简介


    FDB110N15A — N-Channel PowerTrench® MOSFET
    FDB110N15A 是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产的N沟道PowerTrench® MOSFET。该器件具备低导通电阻(RDS(on)),适用于多种高电流、高功率的应用场景。它采用了先进的PowerTrench®工艺,能够显著降低导通电阻同时保持优越的开关性能。FDB110N15A的主要功能包括快速开关速度、低门极电荷、高可靠性和鲁棒性,非常适合于ATX/服务器/电信电源系统中的同步整流、电池保护电路、电机驱动和不间断电源系统等领域。

    技术参数


    以下是FDB110N15A的技术规格和性能参数:
    - VDS(漏源电压):150 V
    - VGSS(栅源电压):±20 V(直流)/ ±30 V(交流)
    - ID(连续漏极电流):92 A(TC = 25℃),65 A(TC = 100℃)
    - IDM(脉冲漏极电流):369 A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):365 mJ
    - PD(最大功耗):234 W(TC = 25℃)
    - 热阻抗:RθJC 最大值 0.64 ℃/W,RθJA 最大值 62.5 ℃/W
    - 温度范围:-55℃ 至 +175℃

    产品特点和优势


    FDB110N15A 具备多个独特的功能和优势,使其在市场上脱颖而出:
    - 低导通电阻:RDS(on) 在 VGS = 10 V,ID = 92 A 下的典型值为 9.25 mΩ,最大限度地减少了损耗。
    - 快速开关速度:能够实现高效的电力转换和节能。
    - 低门极电荷:减少驱动电路的功耗,提高整体效率。
    - 高可靠性:采用高可靠性工艺,适合恶劣环境下的使用。
    - RoHS 合规:符合环保标准,适用于绿色制造和电子产品。

    应用案例和使用建议


    FDB110N15A 可以广泛应用于多种场景,包括但不限于:
    - 同步整流:适用于ATX/服务器/电信电源系统的同步整流电路。
    - 电池保护电路:确保电池在充电和放电过程中的安全运行。
    - 电机驱动和UPS:适合高电流需求的电机驱动和不间断电源系统。
    - 微逆变器:可作为微型太阳能逆变器的核心组件。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,以防止过热导致的性能下降。
    - 避免长时间超过最大额定值操作,以免损坏器件。
    - 在高频率切换应用中,需要特别注意寄生电容和门极驱动的设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDB110N15A 与多种电路设计兼容,适合集成到现有的电力系统中。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和客户咨询服务,可以通过官方网站获取更多资料和技术支持信息。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何选择合适的散热片?
    - A: 选择合适的散热片需要根据器件的最大功耗和环境温度进行计算。确保散热片的热阻足够小,以便将器件产生的热量迅速散出。
    2. Q:如何测试门极电荷?
    - A: 使用专门的测试电路和仪器进行门极电荷测量,确保符合产品规格书中的要求。
    3. Q:如何处理高温环境下的工作?
    - A: 在高温环境下工作时,需要增加额外的散热措施,如加装强制风冷装置或水冷系统,确保器件在安全温度范围内工作。

    总结和推荐


    总体来看,FDB110N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件,适用于多种高电流、高功率的应用场景。其低导通电阻、快速开关速度和低门极电荷使其成为电力转换和控制应用的理想选择。强烈推荐此款器件用于那些对效率和可靠性有较高要求的系统中。
    通过上述分析,FDB110N15A 在技术参数、应用案例及支持方面均表现出色,是一款值得信赖的电子元器件。

FDB110N15A参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 92A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.51nF@75V
Vds-漏源极击穿电压 150V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 234W(Tc)
通道数量 1
栅极电荷 61nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 92A
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDB110N15A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB110N15A数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDB110N15A FDB110N15A数据手册

FDB110N15A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 7.797
1600+ ¥ 7.5258
3200+ ¥ 7.3902
6400+ ¥ 7.3224
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起订量: 800 增量: 800
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