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NTMFS6H864NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.5W(Ta),33W(Tc) 2V@ 20µA 9nC@ 10 V 1个N沟道 80V 29mΩ@ 5A,10V 431pF@40V 贴片安装
供应商型号: 863-NTMFS6H864NLT1G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS6H864NLT1G

NTMFS6H864NLT1G概述


    产品简介


    产品名称:NTMFS6H864NL
    产品类型:N沟道功率MOSFET
    主要功能:
    - 用于电力转换和开关控制的高效率解决方案
    - 适用于需要紧凑设计和高可靠性的应用场合
    应用领域:
    - 电信设备
    - 计算机电源
    - 汽车电子系统
    - 工业自动化

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS): 80 V
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流(ID): 22 A (TC=25°C) / 15 A (TC=100°C)
    - 功率耗散(PD): 33 W (TC=25°C) / 17 W (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 97 A (TA=25°C, tp=10 μs)
    - 电气特性:
    - 断开状态下漏源击穿电压(V(BR)DSS): 80 V (VGS=0 V, ID=250 μA)
    - 零栅电压漏极电流(IDSS): 10 μA (TJ=25°C) / 100 μA (TJ=125°C)
    - 栅源漏电流(IGSS): 100 nA (VDS=0 V, VGS=20 V)
    - 导通电阻(RDS(on)): 24 mΩ @ 10 V (ID=5 A) / 30 mΩ @ 4.5 V (ID=5 A)

    产品特点和优势


    - 小封装尺寸(5x6 mm),适用于紧凑设计。
    - 低RDS(on),减小导通损耗。
    - 低QG和电容,减少驱动损耗。
    - 无铅且符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信设备: 适用于路由器、交换机等设备,提高系统可靠性。
    - 计算机电源: 用于服务器电源,降低功耗,提高能效。
    - 汽车电子系统: 适用于电动车窗、座椅加热等系统,提供高效的电源管理。
    - 工业自动化: 用于机器人控制器、电机驱动等,确保稳定可靠的电源供应。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,避免过热导致损坏。
    - 在选择外部栅极电阻时,建议根据具体应用场景进行优化,以达到最佳开关性能。
    - 对于高电流应用,可以考虑并联多个MOSFET,以提高电流承载能力。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET具有良好的通用性,可与多种电路板和其他电子元器件兼容。
    - 支持: 供应商提供详尽的技术文档和支持,包括安装指南、应用笔记和技术论坛。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中发热严重。
    - 解决方案: 确保良好散热,增加外部散热片或使用散热器。
    2. 问题: 导通电阻不稳定。
    - 解决方案: 检查连接线是否有虚焊或接触不良的情况,重新焊接连接线。
    3. 问题: 过高的栅源电压导致损坏。
    - 解决方案: 使用合适的栅极电阻和限流电阻,保护MOSFET免受过压损坏。

    总结和推荐


    综合评估:
    - NTMFS6H864NL具备出色的性能参数和稳定性,适用于各种高要求的应用场合。
    - 其紧凑的设计、低RDS(on)和良好的温度特性使其在市场上具备较强的竞争力。
    推荐使用:
    - 该MOSFET非常适合需要高效、稳定电源管理的电信设备、计算机电源、汽车电子系统和工业自动化等领域。对于追求高性能和高可靠性的应用,强烈推荐使用NTMFS6H864NL。

NTMFS6H864NLT1G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 20µA
Rds(On)-漏源导通电阻 29mΩ@ 5A,10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 3.5W(Ta),33W(Tc)
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 9nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 431pF@40V
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS6H864NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS6H864NLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS6H864NLT1G NTMFS6H864NLT1G数据手册

NTMFS6H864NLT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.1155 ¥ 9.426
10+ $ 0.7004 ¥ 5.918
100+ $ 0.4378 ¥ 3.6994
500+ $ 0.3391 ¥ 2.8656
1000+ $ 0.3056 ¥ 2.5827
1500+ $ 0.2624 ¥ 2.2176
3000+ $ 0.2441 ¥ 2.0625
库存: 6847
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