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NVTFWS003N04CTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),69W(Tc) 20V 3.5V@ 60µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.5mΩ@ 50A,10V 22A,103A 1.6nF@25V DFN-8 贴片安装
供应商型号: 863-NVTFWS003N04CTAG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFWS003N04CTAG

NVTFWS003N04CTAG概述

    NVTFS003N04C MOSFET 技术手册概述
    本文将详细介绍一款来自安森美半导体(ON Semiconductor)的电子元器件——NVTFS003N04C MOSFET。这款MOSFET适用于多种电源管理应用,具备高效能和紧凑设计等特点。以下是对其各项特性的详细分析。

    1. 产品简介


    产品类型:
    - NVTFS003N04C 是一款单通道N沟道功率MOSFET。
    主要功能:
    - 低导通电阻(RDS(on)),减少导电损耗。
    - 低电容特性,减少驱动损耗。
    - 符合AEC-Q101标准并支持PPAP认证。
    - 铅-free且符合RoHS规范。
    应用领域:
    - 适合用于各种电源管理和控制应用,如电机驱动、开关电源、电池管理等。

    2. 技术参数


    最大额定值:
    - 漏极至源极电压(VDSS):40 V
    - 栅极至源极电压(VGS):±20 V
    - 持续漏极电流(ID):103 A(TC=25°C)
    - 功率耗散(PD):69 W(TC=25°C)
    - 单脉冲漏极至源极雪崩能量(EAS):155 mJ
    - 最大结温(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 引线焊接温度(TL):260°C(1/8"引线,10秒)
    典型电气特性:
    - 漏极至源极击穿电压(V(BR)DSS):40 V
    - 漏极至源极导通电阻(RDS(on)):3.5 mΩ@10 V(10 V 时)
    - 输入电容(Ciss):1600 pF(VGS = 0 V,f = 1.0 MHz,VDS = 25 V)
    - 输出电容(Coss):830 pF
    - 反向传输电容(Crss):28 pF
    - 开启延迟时间(td(on)):10 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):19 ns
    - 体二极管前向压降(VSD):0.9 V (TJ = 25°C)
    - 体二极管反向恢复时间(tRR):37 ns

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑设计: 具有3.3 x 3.3 mm的小尺寸封装,非常适合紧凑型设计。
    - 高导电效率: 低RDS(on)特性显著降低导电损耗。
    - 快速响应: 低电容特性减少驱动损耗,确保快速开关响应。
    - AEC-Q101合格: 适合汽车应用。
    - 环保材料: 铅-free且符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电机驱动器
    - 开关电源转换器
    - 电池管理系统
    使用建议:
    - 在高功率应用中,选择合适的散热方案以避免热失控。
    - 确保栅极驱动信号满足最小和最大电压要求,以避免损坏。
    - 由于其低RDS(on)特性,在设计电路时要考虑到其散热需求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与同类标准功率MOSFET兼容,方便集成。
    - 支持服务: 安森美提供详尽的技术文档、样品测试和技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题: 导通电阻过高。
    - 解决方案: 检查工作电压是否满足要求,或检查是否有过热问题。

    - 问题: 开关时间不符合预期。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路的设计是否合理,确保驱动信号足够强。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - NVTFS003N04C MOSFET 是一款高性能、紧凑设计的产品,非常适合于需要高导电效率和快速开关响应的应用。
    - 其低RDS(on)、低电容特性使其在电源管理和控制方面表现出色,而AEC-Q101认证使其适用于汽车及其他严苛环境。
    推荐:
    - 强烈推荐: 对于追求高效能、高可靠性的设计项目,NVTFS003N04C MOSFET 是理想的选择。它具有优异的电气性能和广泛的适用性,能够有效提升系统整体性能。

NVTFWS003N04CTAG参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 23nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 60µA
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@ 50A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.6nF@25V
配置 -
Id-连续漏极电流 22A,103A
最大功率耗散 3.2W(Ta),69W(Tc)
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFWS003N04CTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFWS003N04CTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFWS003N04CTAG NVTFWS003N04CTAG数据手册

NVTFWS003N04CTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.553 ¥ 21.5729
10+ $ 1.702 ¥ 14.3819
100+ $ 1.1124 ¥ 9.3998
500+ $ 0.9126 ¥ 7.7115
1000+ $ 0.9115 ¥ 7.7023
1500+ $ 0.8392 ¥ 7.0909
3000+ $ 0.7592 ¥ 6.4148
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