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FDME820NZT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.1W(Ta) 12V 1V@ 250µA 8.5nC@ 4.5V 1个N沟道 20V 18mΩ@ 9A,4.5V 9A 865pF@10V MICROFET 贴片安装 1.6mm*1.6mm*550μm
供应商型号: FL-FDME820NZT
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDME820NZT

FDME820NZT概述

    FDME820NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET:产品概述和技术详解

    产品简介


    FDME820NZT是ON Semiconductor(现已更名为onsemi)推出的N-Channel PowerTrench® MOSFET,采用先进的Power Trench工艺制造。这款产品具备低导通电阻(rDS(on))、快速开关速度和高可靠性等特点。适用于锂离子电池包、基带开关、负载开关和直流-直流转换等多种应用领域。该产品以其高效能和紧凑设计在电子设备中备受青睐。

    技术参数


    - 基本电气参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):20 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±12 V
    - 持续漏电流 (ID):9 A
    - 单个操作最大功率耗散 (PD):2.1 W(在25°C)
    - 结温范围 (TJ, TSTG):-55°C至+150°C
    - 热阻抗 (RθJA):70°C/W(25°C)
    - 导通电阻 (rDS(on)):
    - VGS=4.5 V,ID=9 A时:18 mΩ
    - VGS=2.5 V,ID=7.5 A时:24 mΩ
    - VGS=1.8 V,ID=7 A时:32 mΩ
    - 其他参数:
    - 封装形式:MicroFET 1.6x1.6 Thin,厚度最大0.55 mm
    - 免卤素无锑氧化物,符合RoHS标准
    - ESD保护水平(HBM)>2.5 kV
    - 输入电容 (Ciss):865 pF(VDS=10 V,VGS=0 V,f=1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):203 pF
    - 逆向转移电容 (Crss):190 pF

    产品特点和优势


    FDME820NZT在多个方面展示了其独特的功能和优势:
    - 低导通电阻:不同工作条件下,导通电阻均处于行业领先水平。
    - 高性能封装:超薄MicroFET 1.6x1.6封装使得安装更加紧凑,适合空间有限的应用。
    - 环境友好:无卤素无锑氧化物,适用于对环保要求较高的应用。
    - 高可靠性:通过严格的ESD保护和热设计,延长产品寿命。
    这些特点使其在各种应用中具有高度的竞争力。

    应用案例和使用建议


    根据技术手册中的描述,FDME820NZT常用于以下几种应用:
    - 锂离子电池包:利用其低导通电阻减少能耗,提高电池效率。
    - 基带开关:快速开关性能和高可靠性确保稳定运行。
    - 负载开关:适用于需要精确控制和高性能的场合。
    - 直流-直流转换:高效转换和紧凑设计满足小型化需求。
    使用建议:
    - 确保散热设计符合要求,特别是在高电流工作环境下,以避免过热问题。
    - 根据具体应用选择合适的栅源电压 (VGS),以达到最佳的工作状态。
    - 注意ESD防护措施,避免静电损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDME820NZT在多种电路和系统中表现出良好的兼容性,广泛应用于各类电子设备中。
    - 支持和服务:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和在线支持,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。官方技术支持团队可通过电话和邮件提供专业指导。

    常见问题与解决方案


    1. 导通电阻不稳定
    - 解决方案:检查安装是否正确,确保栅源电压在合适范围内。
    2. ESD防护不足导致损坏
    - 解决方案:增加适当的ESD防护措施,如在电路中加入ESD防护二极管。
    3. 功耗过高
    - 解决方案:优化散热设计,使用适当的散热片或其他散热装置。

    总结和推荐


    FDME820NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET以其低导通电阻、高效能和高可靠性成为电子设备中的理想选择。它不仅在多种应用领域表现出色,还能有效降低系统的总体功耗。对于寻求高效能、高可靠性的设计者来说,FDME820NZT无疑是一个值得考虑的选择。
    总之,基于其出色的性能、多功能性及广泛的适用性,我们强烈推荐FDME820NZT在您的项目中使用。

FDME820NZT参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 9A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
栅极电荷 8.5nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 865pF@10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 9A
配置 独立式
最大功率耗散 2.1W(Ta)
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 1.6mm*1.6mm*550μm
通用封装 MICROFET
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDME820NZT厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDME820NZT数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDME820NZT FDME820NZT数据手册

FDME820NZT封装设计

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