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NTMYS4D1N06CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),79W(Tc) 20V 2V@ 80µA 34nC@ 10V 1个N沟道 60V 4mΩ@ 50A,10V 22A,100A 2.2nF@25V LFPAK-4 贴片安装
供应商型号: CY-NTMYS4D1N06CLTWG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMYS4D1N06CLTWG

NTMYS4D1N06CLTWG概述

    MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    本文档介绍了型号为 NTMYS4D1N06CL 的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用小型封装(5x6 mm),设计紧凑且易于集成。NTMYS4D1N06CL 主要应用于电力转换系统、电源管理电路和其他需要高效能和紧凑设计的应用场景。

    技术参数


    NTMYS4D1N06CL 具有以下关键技术规格和性能参数:
    - 电压范围: 最大漏源电压 VDSS 为 60V。
    - 连续电流: 在 TC=25°C 下的连续漏极电流 ID 为 100A,在 TC=100°C 下为 71A。
    - 电阻特性: 在 VGS=10V 和 ID=50A 时的导通电阻 RDS(on) 为 3.3mΩ 至 4.0mΩ;在 VGS=4.5V 和 ID=50A 时为 4.6mΩ 至 5.7mΩ。
    - 驱动特性: 总栅极电荷 QG(TOT) 为 16nC(VGS=4.5V, VDS=30V)至 34nC(VGS=10V, VDS=30V)。
    - 安全工作温度范围: 节点和存储温度范围 TJ, Tstg 为 -55°C 至 +175°C。
    - 浪涌能力: 单脉冲雪崩能量 EAS 为 185mJ(TJ=25°C,IL(pk)=5A)。

    产品特点和优势


    - 小尺寸: 5x6 mm 封装,适合紧凑型设计。
    - 低导通电阻: RDS(on) 较低,能有效减少传导损耗。
    - 低驱动损失: 低 QG 和栅极电容,有助于降低驱动损失。
    - 行业标准封装: LFPAK4 封装符合行业标准。
    - 环保材料: 无铅且符合 RoHS 规范。

    应用案例和使用建议


    NTMYS4D1N06CL 常用于高效率电力转换系统中,如 DC-DC 转换器和开关电源。在实际应用中,用户应根据具体应用选择合适的栅极驱动器以优化性能。例如,在高频率应用中,可考虑使用较低的 QG 来减少驱动损耗。

    兼容性和支持


    NTMYS4D1N06CL 与大多数常见的电源管理设备兼容。厂商提供全面的技术支持,包括热线电话和在线资源。此外,可以通过访问 ON Semiconductor 网站获取更多文档和支持信息。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过热?
    - A: 确保散热良好,避免长时间工作在高温环境下。

    - Q: 栅极驱动如何选择?
    - A: 根据应用频率选择合适的 QG 值,以减少驱动损耗。

    总结和推荐


    NTMYS4D1N06CL 是一款高性能、高效率的 N 沟道功率 MOSFET,特别适用于需要高密度和紧凑设计的应用。其低 RDS(on) 和低驱动损耗使其成为电力转换系统的理想选择。强烈推荐在高效率电力转换系统中使用该产品。对于更详细的信息和技术支持,建议访问 ON Semiconductor 的官方网站。

NTMYS4D1N06CLTWG参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
最大功率耗散 3.7W(Ta),79W(Tc)
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 50A,10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.2nF@25V
栅极电荷 34nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 80µA
Id-连续漏极电流 22A,100A
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 LFPAK-4
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMYS4D1N06CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMYS4D1N06CLTWG数据手册

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NTMYS4D1N06CLTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.6182 ¥ 5.3194
300+ $ 0.6125 ¥ 5.2714
500+ $ 0.6068 ¥ 5.2235
1000+ $ 0.5898 ¥ 4.9839
5000+ $ 0.5898 ¥ 4.9839
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