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NVD5C478NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 45 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: NVD5C478NLT4GOSTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5C478NLT4G

NVD5C478NLT4G概述


    产品简介


    NVD5C478NL是一款单个N沟道功率MOSFET,由Semiconductor Components Industries, LLC制造。其设计主要用于需要高效率的应用场景。该MOSFET的最大耐压为40V,最大连续漏极电流为45A,在10V栅极电压下的典型导通电阻(RDS(on))仅为7.7mΩ。此款MOSFET经过AEC-Q101认证并支持PPAP(生产件批准程序),适用于汽车和工业应用领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏极至源极电压 | VDSS | 40 | V |
    | 栅极至源极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(25℃)| ID | 45 | A |
    | 连续漏极电流(100℃)| ID | 32 | A |
    | 功率耗散(25℃) | PD | 30 | W |
    | 功率耗散(100℃) | PD | 15 | W |
    | 脉冲漏极电流(25℃)| IDM | 220 | A |
    | 零栅压漏电流(25℃)| IDSS | 10 | µA |
    | 输入电容(1MHz) | Ciss | 1100 | pF |
    | 输出电容(1MHz) | Coss | 410 | pF |
    | 闸门至源极电荷 | QGS | 3.6 | nC |
    | 闸门至漏极电荷 | QGD | 3.3 | nC |
    | 阈值电荷 | QG(TH) | 2.1 | nC |
    | 门槛电压 | VGS(TH) | 1.2 - 2.2 | V |

    产品特点和优势


    - 低RDS(on):导通电阻低至7.7mΩ,可以显著减少导通损耗。
    - 低QG和电容:低栅极电荷和电容有助于减少驱动损耗。
    - AEC-Q101认证和PPAP能力:适用于汽车和工业领域的高可靠性要求。
    - 无铅、无卤素/BFR,RoHS合规:环保材料,符合最新环保标准。

    应用案例和使用建议


    - 车载充电器:由于其高效率和AEC-Q101认证,该MOSFET非常适合用于车载充电系统。
    - 电动工具:在电动工具中使用该MOSFET,可以提高工具的效率和使用寿命。
    - 电源转换:对于高功率密度的应用如开关电源,该MOSFET提供了高效的电流控制。
    使用建议:
    - 在选择栅极电阻时,应考虑寄生电容的影响,以确保快速开关。
    - 在高温环境中使用时,需注意散热措施以保持MOSFET的稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVD5C478NL可以与其他适合该应用的电源管理组件和控制器相兼容。
    - 支持:Semiconductor Components Industries, LLC提供了详尽的技术文档和支持,可通过其官方网站获取。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致MOSFET失效。
    解决方案:增加散热片或优化散热方案,保证良好的热传导。

    2. 问题:栅极电压不稳定。
    解决方案:使用稳定的电源和滤波电路来保持栅极电压稳定。

    总结和推荐


    NVD5C478NL是一款高效且可靠的MOSFET,特别适合高功率应用场合。其低RDS(on)和低QG特性使其在电池供电设备和需要高效能转换的应用中表现优异。鉴于其在不同环境中的良好表现和广泛的应用场景,强烈推荐在相关的电子工程项目中使用此款MOSFET。

NVD5C478NLT4G参数

参数
最大功率耗散 3W(Ta),30W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 20nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 14A,45A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 30µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@25V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 7.7mΩ@ 15A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 1
长*宽*高 6.73mm(长度)
通用封装 DPAK-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVD5C478NLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5C478NLT4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD5C478NLT4G NVD5C478NLT4G数据手册

NVD5C478NLT4G封装设计

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