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NTMTS002N08MC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.3W(Ta) 4V@ 540µA 125nC@ 10 V 1个N沟道 80V 2mΩ@ 90A,10V 8.9nF@40V 贴片安装
供应商型号: FL-NTMTS002N08MC
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMTS002N08MC

NTMTS002N08MC概述


    产品简介


    NTMTS002N08MC是一款单通道N沟道功率MOSFET,采用DFNW8封装。该器件适用于各种高功率应用,如电动工具、电池供电真空吸尘器、无人机/无人驾驶车辆、材料处理系统、电池管理系统(BMS)/存储系统以及家庭自动化。其独特的设计使其成为小型化和高性能应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 漏源击穿电压 (VDSS):80 V
    - 持续漏极电流 (ID):229 A(在TC=25°C时)
    - 功率耗散 (PD):208 W(在RJC条件下)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):3577 A(在TP=10μs时)
    - 最大工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55至+150°C
    - 热阻参数:
    - 结到外壳的热阻 (RJC):0.6°C/W
    - 结到环境的热阻 (RJA):38°C/W
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)):2 mΩ(在VGS=10 V,ID=90 A时)
    - 输入电容 (CISS):6350 pF(在VGS=0 V,f=1 MHz,VDS=40 V时)
    - 输出电容 (COSS):2100 pF
    - 门电荷 (QG(TOT)):89 nC(在VGS=10 V,VDS=40 V,ID=90 A时)

    产品特点和优势


    NTMTS002N08MC的主要特点包括:
    - 紧凑设计:采用8x8 mm的小尺寸封装,非常适合空间受限的应用场景。
    - 低导通电阻:RDS(on)仅为2 mΩ,有助于最大限度减少导通损耗。
    - 低驱动损耗:较低的QG和电容值,降低了驱动器损耗。
    - 环保设计:无铅、无卤素、无BFR,并符合RoHS标准,满足现代环保要求。

    应用案例和使用建议


    NTMTS002N08MC在多个应用领域中表现出色,具体如下:
    - 电动工具:适用于各种手持电动工具,提供高效能和长寿命。
    - 电池供电设备:适合电池供电的家用电器和工业设备,如电池供电吸尘器。
    - 无人机/无人驾驶车辆:能够在高功率密度的应用环境中稳定运行。
    - 材料处理系统:能够适应恶劣的工作环境,提高系统的可靠性和效率。
    - BMS/存储系统:适用于电池管理和储能系统,确保高效的能量转换和管理。
    - 家庭自动化:可应用于智能家居设备,提升整体性能和用户体验。
    使用建议:
    - 在设计电源转换器或马达控制系统时,需确保器件在高温环境下的稳定性,适当进行散热设计。
    - 对于频繁开关的应用,建议选用具有较高浪涌电流承受能力的电路保护措施。
    - 在高频切换应用中,应注意寄生电感的影响,以避免过压等问题。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与现有的大多数直流电源系统兼容,可直接替换其他同类产品。
    - 支持:ON Semiconductor提供全面的技术支持,包括应用指南、样品、在线技术支持等。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在高温环境下,如何确保器件正常工作?
    - 答:通过增加散热片或改进散热设计来降低工作温度,确保结温不超过规定范围。

    2. 问:如何处理驱动器损耗问题?
    - 答:可以选用较低的栅极电荷QG和更低的输入电容CISS的MOSFET,以减少驱动器损耗。
    3. 问:如何避免反向恢复电流带来的损坏?
    - 答:选用反向恢复时间tRR较短的二极管,或者在电路中加入适当的钳位电路。

    总结和推荐


    NTMTS002N08MC凭借其紧凑的设计、低导通电阻和高可靠性,使其成为多种高功率应用的理想选择。其优越的电气特性和环境友好性,使其在市场上具备很强的竞争力。对于需要高效能、高可靠性的应用场合,我们强烈推荐使用这款MOSFET。总体来说,该产品在性能和适用性方面都表现出色,非常适合用于各类高功率应用场景。

NTMTS002N08MC参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.9nF@40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 540µA
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 90A,10V
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 125nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.3W(Ta)
Id-连续漏极电流 -
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMTS002N08MC厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMTS002N08MC数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMTS002N08MC NTMTS002N08MC数据手册

NTMTS002N08MC封装设计

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