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NVMYS4D6N04CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Ta),50W(Tc) 20V 2V@ 40µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 40V 4.5mΩ@ 35A,10V 21A,78A 1.3nF@25V LFPAK-4 贴片安装
供应商型号: CY-NVMYS4D6N04CLTWG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMYS4D6N04CLTWG

NVMYS4D6N04CLTWG概述


    产品简介


    本产品是一款单通道N沟道功率MOSFET,型号为NVMYS4D6N04CL,适用于多种电子系统中,如电源转换、电机驱动、汽车电子等领域。其主要功能在于实现高效的电力开关和电流控制,以减少电路中的能量损耗。

    技术参数


    - 电压范围: VDSS(漏极-源极电压):40V
    - 电流:
    - 在环境温度25°C下,连续漏极电流ID:78A;最大脉冲漏极电流IDM:520A
    - 在环境温度100°C下,连续漏极电流ID:55A
    - 电阻:
    - RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ @ 10V,7.2mΩ @ 4.5V
    - 电容: 输入电容CISS:1300pF,输出电容COSS:530pF,反向转移电容CRSS:22pF
    - 热阻抗:
    - 静态Junction-to-Case(结到外壳)热阻RJC:3.0°C/W
    - 静态Junction-to-Ambient(结到环境)热阻RJA:40°C/W
    - 操作温度范围: -55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    - 小体积设计: 尺寸为5x6mm,适用于紧凑型设计。
    - 低RDS(on): 导通电阻低,有助于降低传导损耗。
    - 低QG: 总门电荷低,有助于降低驱动损耗。
    - 行业标准封装: 采用LFPAK4封装,符合行业标准。
    - 可靠性认证: 符合AEC-Q101标准,且具备PPAP(生产件批准程序)能力。
    - 环保合规: 无铅,符合RoHS指令。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换: 适合用于高频开关电源中,可以显著降低损耗。
    - 电机驱动: 可以有效地驱动各种直流电机,提高效率。
    - 汽车电子: 适用于车身控制模块、动力总成等场合,确保长期稳定运行。
    使用建议:
    - 确保安装时使用具有良好散热能力的FR4基板,避免过热。
    - 考虑到MOSFET的工作温度范围较宽,建议在极端温度环境下进行充分测试。

    兼容性和支持


    - 兼容性: NVMYS4D6N04CL MOSFET兼容常见的FR4基板材料和SMT焊接工艺,便于大规模生产和装配。
    - 技术支持: ON Semiconductor提供了详尽的技术支持和文档资源,包括用户手册、技术指南和应用笔记等。此外,还提供电话和电子邮件支持,帮助用户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何选择合适的门电阻?
    - 解决方案: 参考手册中的建议值,通常在5-10Ω之间,以平衡开关时间和损耗。

    - 问题: 为什么会出现高温警告?
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,增加散热片或改进空气流通。

    - 问题: 如何正确读取器件标记?
    - 解决方案: 查看器件数据表中的详细标记图示,了解具体标记的意义。

    总结和推荐


    综上所述,NVMYS4D6N04CL MOSFET凭借其卓越的性能和高可靠性,在多个应用领域中表现出色。特别是在需要高效电力转换和精确电流控制的应用中,该产品能够带来显著的优势。因此,强烈推荐此款MOSFET应用于各类电源管理、电机控制及汽车电子系统中。

NVMYS4D6N04CLTWG参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 23nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@25V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 35A,10V
Id-连续漏极电流 21A,78A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.6W(Ta),50W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 40µA
通用封装 LFPAK-4
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMYS4D6N04CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMYS4D6N04CLTWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMYS4D6N04CLTWG NVMYS4D6N04CLTWG数据手册

NVMYS4D6N04CLTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3649 ¥ 3.1405
500+ $ 0.3615 ¥ 3.112
1000+ $ 0.3514 ¥ 2.9692
5000+ $ 0.3514 ¥ 2.9692
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起订量: 319 增量: 1
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