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NTMFS5C404NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),167W(Tc) 20V 2V@ 250µA 181nC@ 10 V 1个N沟道 40V 750μΩ@ 50A,10V 47A,339A 12.168nF@25V 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: UNP-NTMFS5C404NLT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS5C404NLT1G

NTMFS5C404NLT1G概述

    MOSFET – Power, Single, N-Channel 技术手册概述
    本文档详细介绍了型号为 NTMFS5C404NL 的 N 沟道 MOSFET 电子元器件的产品特点、技术参数、应用场景及其优势。此产品适用于各种需要高效率和紧凑设计的应用场景。

    1. 产品简介


    NTMFS5C404NL 是一种单通道 N 沟道功率 MOSFET,主要用于电力转换和控制应用。它具有低导通电阻(RDS(on))、小尺寸封装(5x6 mm)和高可靠性等特点,特别适合于需要高效能和高可靠性的场合。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - Drain-to-Source 电压 (VDSS): 40 V
    - Gate-to-Source 电压 (VGS): ±20 V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时:370 A
    - TC = 100°C 时:260 A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 900 A
    - 功率参数
    - 最大耗散功率 (PD):
    - TC = 25°C 时:167 W
    - TC = 100°C 时:67 W
    - 热阻参数
    - 热阻抗(Junction-to-Case, 稳态): 0.75 °C/W
    - 热阻抗(Junction-to-Ambient, 稳态): 39 °C/W
    - 其他参数
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 10 μA (TJ = 25°C)
    - 导通阈值电压 (VGS(TH)): 1.2 ~ 2.0 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 50 A 时:0.67 mΩ
    - VGS = 4.5 V, ID = 50 A 时:1.0 mΩ

    3. 产品特点和优势


    - 小尺寸封装:5x6 mm 的封装设计使其非常适合于紧凑型电路设计。
    - 低导通电阻:RDS(on) 低至 0.67 mΩ,显著减少了导通损耗。
    - 低门极电荷和电容:低 QG 和电容有助于减少驱动损耗。
    - 无铅、无卤化物和符合 RoHS 标准:环保特性满足现代生产标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 功率变换器:用于提升电源转换效率。
    - 电机驱动:通过优化的电流控制提高系统性能。
    - 照明系统:如 LED 驱动,能够有效降低能耗。

    - 使用建议:
    - 考虑到高电流和高温度下使用时的热管理,确保适当的散热措施。
    - 在使用过程中应注意电源电压和电流的变化,确保在额定范围内操作以避免损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTMFS5C404NL 可与其他符合行业标准的电子元器件轻松集成。
    - 支持信息:厂商提供详尽的技术文档和支持,客户可通过官方网站和技术支持热线获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:确保有效的散热机制,如采用散热片或散热风扇。
    - 问题:门极电荷过高影响开关速度。
    - 解决方案:合理选择门极电阻,减小门极电荷,从而提高开关速度。

    7. 总结和推荐


    NTMFS5C404NL MOSFET 以其出色的导通电阻、紧凑的封装和环保特性,在众多应用场景中表现出色。我们强烈推荐这款产品给需要高性能、高效能和紧凑设计的工程师和制造商。尽管该型号已被列为不推荐的新设计,但仍适用于现有项目,特别是需要高可靠性、紧凑设计和环保材料的场合。

NTMFS5C404NLT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 181nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.2W(Ta),167W(Tc)
配置 独立式
Id-连续漏极电流 47A,339A
Rds(On)-漏源导通电阻 750μΩ@ 50A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 12.168nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS5C404NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS5C404NLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C404NLT1G NTMFS5C404NLT1G数据手册

NTMFS5C404NLT1G封装设计

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