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FCP11N60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 125W(Tc) 30V 5V@ 250µA 52nC@ 10 V 1个N沟道 600V 380mΩ@ 5.5A,10V 11A 1.49nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: AV-S-FCP11N60
供应商: Avnet
标准整包数: 50
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCP11N60

FCP11N60概述


    产品简介


    SuperFET® MOSFET是Fairchild半导体公司推出的第一代高电压超级结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻(Rds(on))和较低的栅极电荷(Qg)性能。这种技术旨在最小化导通损耗,提供出色的开关性能、dv/dt率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET MOSFET非常适合用于开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源等领域。

    技术参数


    | 参数 | FCP11N60 / FCPF11N60 |

    | 最大漏极电流 (ID) | 11 A |
    | 连续漏极电流 (TC = 25°C) | 11 A |
    | 连续漏极电流 (TC = 100°C) | 7 A |
    | 峰值漏极电流 (IDM) | 33 A |
    | 栅源电压 (VGSS) | ± 30 V |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 340 mJ |
    | 雪崩电流 (IAR) | 11 A |
    | 重复雪崩能量 (EAR) | 12.5 mJ |
    | 峰值二极管恢复速率 (dv/dt)| 4.5 V/ns |
    | 功耗 (PD) | 125 W (TC = 25°C) |
    | 热阻 (RθJC) | 1.0 °C/W |
    | 热阻 (RθCS) | 0.5 °C/W |
    | 热阻 (RθJA) | 62.5 °C/W |
    | 工作温度范围 (TJ, TSTG) | -55°C 至 +150°C |

    产品特点和优势


    1. 高电压耐受性:650V @Tj = 150°C,适用于高压环境。
    2. 低导通电阻:典型值为0.32Ω,降低导通损耗。
    3. 超低栅极电荷:典型值为40nC,减少开关损耗。
    4. 低有效输出电容:典型值为95pF,提高开关速度。
    5. 100%雪崩测试:确保高可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    SuperFET MOSFET广泛应用于各种开关电源应用,例如:
    - 功率因数校正(PFC)
    - 服务器/电信电源
    - 平板电视电源
    - ATX电源
    - 工业电源
    使用建议
    1. 散热管理:由于较高的功耗,需要有效的散热措施,如散热片或风扇。
    2. 驱动电路设计:考虑使用合适的栅极驱动器,以确保快速开关和低噪声。
    3. 保护电路:添加过压保护和过流保护,防止器件损坏。

    兼容性和支持


    SuperFET MOSFET与多种电路和系统兼容,可直接替换现有设计中的类似器件。ON Semiconductor提供了详细的技术文档和支持,包括应用指南、数据表和常见问题解答。如有任何疑问,可以通过官方网站或技术支持邮箱获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据应用需求选择合适的栅极电阻,通常在20Ω至50Ω之间,以确保快速开关和稳定的栅极电压。

    2. 问题:如何处理过高的温度?
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或使用风扇,确保器件工作在安全温度范围内。

    3. 问题:如何优化开关性能?
    - 解决方案:选择合适的栅极驱动器,减小栅极电容,优化电路布局,以提高开关速度和效率。

    总结和推荐


    SuperFET MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,在高压开关电源应用中表现出色。其低导通电阻、超低栅极电荷和高电压耐受性使其成为许多关键应用的理想选择。推荐在高压开关电源设计中使用SuperFET MOSFET,特别是对于需要高效能和可靠性的场合。

FCP11N60参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
最大功率耗散 125W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 380mΩ@ 5.5A,10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 11A
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.49nF@25V
栅极电荷 52nC@ 10 V
配置 独立式
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,管装

FCP11N60厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCP11N60数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCP11N60 FCP11N60数据手册

FCP11N60封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 2.4265 ¥ 21.4745
150+ $ 2.2002 ¥ 19.4718
350+ $ 1.6758 ¥ 14.8308
550+ $ 1.5762 ¥ 13.9494
1200+ $ 1.4985 ¥ 13.2617
2200+ $ 1.3653 ¥ 12.0829
4050+ $ 1.3209 ¥ 11.69
库存: 400
起订量: 100 增量: 50
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 1073.72
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