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FDMS0309AS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),50W(Tc) 20V 3V@1mA 47nC@ 10 V 1个N沟道 30V 3.5mΩ@ 21A,10V 21A,49A 3nF@15V QFN 贴片安装 6mm*5mm*1.1mm
供应商型号: CY-FDMS0309AS
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS0309AS

FDMS0309AS概述

    FDMS0309AS N-Channel PowerTrench™ SyncFET™ 技术手册

    产品简介


    FDMS0309AS 是一款 N-Channel PowerTrench™ 同步FET(FDMS0309AS),专为提高电源转换效率而设计。该器件适用于多种应用,如同步整流器、笔记本电脑核心电压/GPU 低侧开关、网络点负载低侧开关以及电信二次侧整流等。FDMS0309AS 的主要功能是提供低导通电阻和高效率,适用于需要高效能的应用场合。

    技术参数


    以下是 FDMS0309AS 的主要技术参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 (BVDSS) | 30 | V |
    | 最大漏源导通电阻 (rDS(on)) | 3.5 @ 10 V, 21 A | mΩ |
    | 最大漏源导通电阻 (rDS(on)) | 4.3 @ 4.5 V, 19 A | mΩ |
    | 最大单脉冲雪崩能量 (EAS) | 66 | mJ |
    | 门极泄漏电流 (IGSS) | 100 | nA |
    | 门极阈值电压 (VGS(th)) | 1.2 ~ 3.0 | V |
    | 输入电容 (Ciss) | 2255 ~ 3000 | pF |
    | 输出电容 (Coss) | 815 ~ 1085 | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | 85 ~ 125 | pF |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 16 ~ 47 | nC |
    | 体二极管正向电压 (VSD) | 0.6 ~ 1.2 | V |
    | 反向恢复时间 (trr) | 26 ~ 42 | ns |

    产品特点和优势


    FDMS0309AS 具有以下几个显著特点和优势:
    1. 低导通电阻:最大 rDS(on) 在 VGS = 10 V 和 ID = 21 A 时仅为 3.5 mΩ,在 VGS = 4.5 V 和 ID = 19 A 时为 4.3 mΩ。
    2. 高效能:通过先进的封装和硅技术结合,提供低 rDS(on) 和高效率。
    3. 同步FET Schottky 体二极管:具有高效的单片肖特基体二极管。
    4. 坚固的封装设计:符合 MSL1 标准,提供可靠的保护。
    5. 全面测试:100% UIL 测试确保产品质量。
    6. 环保材料:RoHS 符合标准。

    应用案例和使用建议


    FDMS0309AS 主要应用于以下领域:
    - 同步整流器:用于 DC/DC 转换器,提供高效的电流路径。
    - 笔记本电脑核心电压/GPU 低侧开关:提高系统效率,减少发热。
    - 网络点负载低侧开关:提高网络设备的电源管理效率。
    - 电信二次侧整流:用于电信设备的电源转换,提高整体系统效率。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保散热良好,以防止过热导致性能下降。
    - 注意门极驱动电压的选择,以保证最佳的开关性能。
    - 避免长时间在高温环境下工作,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    FDMS0309AS 与市场上常见的电源管理和转换电路板兼容。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持,包括在线文档、技术论坛和客户服务热线,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的常见问题及其解决方案:
    1. 过热问题:
    - 问题描述:设备在长时间运行后出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热装置是否正常工作,增加外部散热措施如风扇或散热片。
    2. 驱动电压不匹配:
    - 问题描述:设备无法正常启动或运行不稳定。
    - 解决方案:确认门极驱动电压是否正确,调整至推荐范围内的电压。
    3. 雪崩击穿问题:
    - 问题描述:在高电流情况下出现击穿现象。
    - 解决方案:检查电路设计,确保电流限制在额定范围内。

    总结和推荐


    FDMS0309AS 是一款高性能的 N-Channel PowerTrench™ 同步FET,具有低导通电阻、高效能和可靠的封装设计。它适用于多种电源管理和转换应用,能够显著提升系统效率。鉴于其出色的性能和广泛的应用领域,强烈推荐在相关项目中使用 FDMS0309AS。

FDMS0309AS参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3nF@15V
最大功率耗散 2.5W(Ta),50W(Tc)
通道数量 2
栅极电荷 47nC@ 10 V
配置
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 21A,49A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@ 21A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMS0309AS厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS0309AS数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS0309AS FDMS0309AS数据手册

FDMS0309AS封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.2729 ¥ 2.3485
500+ $ 0.2703 ¥ 2.3271
1000+ $ 0.2628 ¥ 2.2204
5000+ $ 0.2628 ¥ 2.2204
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