处理中...

首页  >  产品百科  >  FDB2552

FDB2552

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=150 V, 37 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 2464135
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB2552

FDB2552概述

    FDP2552/N FDB2552: High-Performance N-Channel MOSFET

    产品简介


    FDP2552/N 和 FDB2552 是一款由 Semiconductor Components Industries, LLC 设计的高性能 N-Channel MOSFET,采用 POWERTRENCH 技术。这类 MOSFET 主要应用于直流/交流转换器、离线不间断电源(UPS)、分布式电源架构和电压调节模块(VRMs)。此外,它们也适用于高电压同步整流器,在多种高功率系统中提供卓越性能。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(漏源击穿电压): 150 V
    - VGS(栅源电压): ±20 V
    - 连续电流(TC=25°C,VGS=10V): 37 A
    - 连续电流(TC=100°C,VGS=10V): 26 A
    - 最大功率耗散(Tamb=25°C,VGS=10V,RJA=43°C/W): 5 W
    - 单脉冲雪崩能量(注1): 390 mJ
    - 存储温度范围: -55 至 175 °C
    - 电气特性
    - RDS(on)(导通电阻): 32 mΩ(典型值),在 VGS=10 V,ID=16 A 下
    - Qg(tot)(总栅电荷): 39 nC(典型值),在 VGS=10 V
    - 低米勒电荷
    - 低 QRR 本体二极管
    - UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 为 32 mΩ,确保了高效的电流传输和低损耗。
    2. 低总栅电荷:Qg(tot) 为 39 nC,提高了开关速度,降低了开关损耗。
    3. 低米勒电荷:有助于减少开关过程中的振铃效应,提高系统的稳定性。
    4. UIS 能力:具备单脉冲和重复脉冲雪崩能量能力,确保在极端条件下依然可靠。

    应用案例和使用建议


    - 直流/交流转换器:通过选择适当的驱动电路和散热措施,可实现高效转换。
    - 离线 UPS 系统:结合良好的散热设计,可以满足高可靠性要求。
    - 高电压同步整流器:使用低 RDS(on) 和低 QRR 的特性,可以降低功耗和发热。
    建议在使用时注意:
    1. 散热管理:确保良好的散热设计,以避免过热。
    2. 驱动电路选择:选择合适的驱动电路以确保快速稳定的开关操作。

    兼容性和支持


    FDP2552/N 和 FDB2552 与同类产品兼容,且制造商提供了详细的技术文档和支持服务。用户可以通过技术支持渠道获取进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高温下工作不稳定。
    - 解决方法:检查散热设计,增加散热片或风扇以增强散热效果。
    - 问题2:栅极驱动电路失效。
    - 解决方法:检查并更换栅极驱动电路,确保驱动电路稳定运行。

    总结和推荐


    FDP2552/N 和 FDB2552 作为高性能 N-Channel MOSFET,在多种应用场景中表现出色。其低导通电阻、低总栅电荷和出色的 UIS 能力使其成为高功率系统的理想选择。建议在设计高功率转换器和整流器时优先考虑这些产品。通过合理的设计和使用,这些 MOSFET 可以显著提升系统的效率和可靠性。

FDB2552参数

参数
最大功率耗散 150W(Tc)
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5A,37A
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@ 16A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.8nF@25V
栅极电荷 51nC@ 10V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263AB
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDB2552厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB2552数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDB2552 FDB2552数据手册

FDB2552封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 13.5632
10+ ¥ 10.264
100+ ¥ 10.0807
500+ ¥ 10.0807
库存: 647
起订量: 4 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 13.56
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336