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FDD8451

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 30W(Tc) 20V 3V@ 250µA 20nC@ 10V 1个N沟道 40V 24mΩ@ 9A,10V 9A,28A 990pF@20V D-PAK,TO-252 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: FL-FDD8451
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD8451

FDD8451概述

    FDD8451 N-Channel PowerTrench MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDD8451 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的 N-Channel PowerTrench® MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于改善直流-直流转换器(DC/DC 转换器)的总体效率。此外,它也适用于背光逆变器(Backlight Inverter)等应用。FDD8451 器件设计时重点考虑了低栅极电荷、快速开关速度和极低的导通电阻(rDS(on)),使其成为高性能电力电子应用的理想选择。

    技术参数


    FDD8451 的主要技术参数如下:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) 40 V |
    | 栅源电压(VGS) | ±20 ±20 | V |
    | 连续漏极电流(ID) | 28 A |
    | 瞬态漏极电流(脉冲) 78 | A |
    | 击穿电压(BVDSS) | 40 V |
    | 导通电阻(rDS(on)) | 19 | 24 | 41 | mΩ |
    | 栅极电阻(Rg) 1.1 Ω |
    | 总栅极电荷(Qg) | 16 | 20 nC |
    | 峰值瞬态功率(PDM) 30 | W |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(rDS(on)):在 VGS = 10V 和 ID = 9A 条件下,最大导通电阻为 24mΩ;在 VGS = 4.5V 和 ID = 7A 条件下,最大导通电阻为 30mΩ。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷(Qg)典型值为 20nC,在 10V 电压下。
    - 快速开关:上升时间(tr)和下降时间(tf)分别为 3ns 和 2ns,适用于高频应用。
    - 高可靠性:符合 RoHS 标准,且具备高抗雪崩能力。

    应用案例和使用建议


    FDD8451 主要应用于直流-直流转换器和背光逆变器。这些应用要求高效且快速的开关速度,因此 FDD8451 非常适合。使用时,应注意以下几点:
    - 散热管理:由于最大连续漏极电流为 28A,散热设计是关键。建议使用较大的铜片(至少 1平方英寸)以提高热传导效率。
    - 驱动电路设计:确保驱动电压范围在 ±20V 内,以避免栅极损坏。
    - 过流保护:应用中应加入过流保护措施,防止器件过载。

    兼容性和支持


    FDD8451 支持多种应用场合,如 DC/DC 转换器和背光逆变器。该器件在电气特性和机械封装方面具有良好的兼容性。ON Semiconductor 提供了详尽的技术支持和文档,包括常见问题解答和应用指南。如有任何疑问,可以通过官方网站或技术支持热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:FDD8451 是否符合 RoHS 标准?
    - 答:是的,FDD8451 符合 RoHS 标准,适用于环保要求高的应用。

    2. 问:FDD8451 在高温下的性能如何?
    - 答:在 150°C 下,FDD8451 的导通电阻可能增加到 41mΩ,但仍能满足大多数应用需求。建议在设计中考虑适当的散热措施。

    总结和推荐


    FDD8451 N-Channel PowerTrench MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,特别适用于需要高效率和快速开关的应用场合。尽管该器件已不再推荐用于新设计,但现有的用户仍然可以继续使用并获得良好的性能。对于新的设计项目,建议考虑 ON Semiconductor 的其他同类产品。
    综上所述,FDD8451 是一个非常可靠的电力电子器件,适用于多种应用场景。在设计时,注意合理的散热设计和驱动电路配置,将有助于充分发挥其性能。

FDD8451参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 990pF@20V
通道数量 1
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 9A,28A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
最大功率耗散 30W(Tc)
栅极电荷 20nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 9A,10V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 D-PAK,TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD8451厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD8451数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD8451 FDD8451数据手册

FDD8451封装设计

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