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FQPF33N10L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=100 V, 18 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 3368824
供应商: element14
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF33N10L

FQPF33N10L概述

    FQPF33N10L N-Channel QFET® MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQPF33N10L 是一款由Fairchild Semiconductor生产的N-通道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET)。这种先进的MOSFET采用了Fairchild独特的平面条纹技术和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)技术制造。其主要用途包括开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源等领域。

    技术参数


    以下是FQPF33N10L的主要技术规格和电气特性:
    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100 V
    - 最大漏极电流 (ID): 18 A (TC = 25°C),12.7 A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 72 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 430 mJ
    - 复发雪崩能量 (EAR): 4.1 mJ
    - 最高结温 (TJ): 175°C
    - 电气参数
    - 最小栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 最大栅源漏电阻 (RDS(on)): 52 mΩ (VGS = 10 V, ID = 9 A)
    - 最低门电荷 (Qg): 30 nC
    - 输入电容 (Ciss): 1250 pF (VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 305 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 70 pF
    - 热参数
    - 热阻 (RθJC): 3.7 °C/W (最大)
    - 热阻 (RθJA): 62.5 °C/W (最大)
    - 其他参数
    - 开启延迟时间 (td(on)): 17 ns (VDD = 50 V, ID = 33 A, RG = 25 Ω)
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 70 ns
    - 反向恢复时间 (trr): 90 ns (VGS = 0 V, IS = 33 A, dIF/dt = 100 A/μs)

    产品特点和优势


    1. 高性能: RDS(on) 最低仅为52 mΩ,使得该MOSFET具有非常高的效率和低导通损耗。
    2. 高可靠性: 支持100%的单脉冲雪崩测试和高重复雪崩能量 (EAR)。
    3. 低功耗: 低门电荷和快速开关时间有助于减少整体功耗。
    4. 高工作温度范围: 最大结温高达175°C,适用于高温环境下。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关模式电源: FQPF33N10L 可以用于高效的开关模式电源转换,显著降低功率损耗。
    - 音频放大器: 其低栅电荷和快速开关特性使其非常适合音频放大器的应用。
    - 直流电机控制: 高可靠性使其适用于需要精确控制的电机驱动系统。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,注意散热设计,确保器件不会因过热而失效。
    - 根据具体应用需求调整栅极电阻 (RG),以优化开关时间和功耗。

    兼容性和支持


    该产品采用TO-220F封装,与同类产品兼容性良好。Fairchild Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档、样品申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问:器件在高温下工作时如何保证性能?
    - 答: 选择合适的散热措施,如增加散热片或使用散热膏,确保结温不超过最大额定值175°C。
    2. 问:如何减少栅极振荡?
    - 答: 使用适当的栅极电阻 (RG),并尽可能缩短栅极引线,以减少寄生电感的影响。
    3. 问:如何测量器件的漏极电流?
    - 答: 使用合适的电流检测电阻,并连接到电流监控电路中,通过电压降计算漏极电流。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: FQPF33N10L 具有卓越的电气特性和高可靠性,特别是在高温环境下表现出色。其低RDS(on)和快速开关特性使其成为高效功率转换的理想选择。
    - 推荐: 鉴于其出色的性能和广泛应用的可能性,我们强烈推荐在高效率功率转换和电机控制等场合使用此器件。

FQPF33N10L参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.63nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 40nC@ 5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 9A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 41W(Tc)
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 18A
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FQPF33N10L厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF33N10L数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF33N10L FQPF33N10L数据手册

FQPF33N10L封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.1477 ¥ 17.9762
10+ $ 1.7081 ¥ 14.2968
100+ $ 1.3736 ¥ 11.4968
500+ $ 1.1278 ¥ 9.4397
1000+ $ 0.9353 ¥ 7.8284
2000+ $ 0.8711 ¥ 7.2912
5000+ $ 0.8383 ¥ 7.017
10000+ $ 0.8056 ¥ 6.7427
库存: 746
起订量: 1 增量: 0
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