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FDP2D9N12C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.4W(Ta),333W(Tc) 4V@ 686µA 109nC@ 10 V 1个N沟道 120V 2.9mΩ@ 100A,10V 8.894nF@60V TO-220 通孔安装
供应商型号: CY-FDP2D9N12C
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP2D9N12C

FDP2D9N12C概述


    产品简介


    FDP2D9N12C MOSFET - N-Channel,Shielded Gate PowerTrench
    FDP2D9N12C是一款高性能的N沟道屏蔽栅功率MOSFET,属于PowerTrench系列。其独特的设计使其在多种电力转换应用中表现出色,尤其适用于ATX电源、服务器电源、电信电源的同步整流,电机驱动和不间断电源系统(UPS)等。此外,它也可应用于微型太阳能逆变器等场合。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDSS): 120V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID): 181A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 933A(当TA=25°C时)
    - 最大功耗 (PD): 179W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 490mJ
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg): -55°C到+150°C
    - 输出电容 (COSS): 3825pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 32pF
    - 反向恢复时间 (tRR): 88ns
    - 反向恢复电荷 (QRR): 500nC
    - 漏源电阻 (RDS(on)): 2.95mΩ(在VGS=10V时)
    - 导通延迟时间 (td(ON)): 43ns
    - 关断延迟时间 (td(OFF)): 72ns

    产品特点和优势


    FDP2D9N12C具有以下几个显著特点和优势:
    - 屏蔽栅技术:采用先进的屏蔽栅技术,有效降低了寄生效应,提高了器件的可靠性和效率。
    - 低开关噪声/EMI:低输出电容和反向传输电容显著减少了开关过程中产生的噪声和电磁干扰。
    - 更低的反向恢复电荷 (QRR):相比其他MOSFET供应商,反向恢复电荷降低了50%,进一步提高能效。
    - 全寿命UL测试:所有产品均通过了全寿命UL测试,确保可靠性。
    - 无铅、无卤素、RoHS符合:满足环保要求,可广泛应用于各种行业。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - ATX/服务器/电信电源:在这些应用中,该MOSFET可以用于同步整流,提高电源系统的效率。
    - 电机驱动和UPS系统:由于其高可靠性和低开关噪声,该MOSFET特别适合用于电机驱动和UPS系统。
    - 微型太阳能逆变器:能够适应较高的工作温度范围和恶劣的工作环境,非常适合小型太阳能逆变器的应用。
    使用建议
    - 散热管理:为了保证长时间稳定运行,需要合理设计散热系统,确保器件工作在安全温度范围内。
    - 布线和布局:合理的PCB布线和元件布局有助于减少寄生电感和电容,从而降低开关损耗。
    - 过压保护:考虑在电路中加入适当的保护措施,以防止电压瞬态引起的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品支持标准的TO-220封装,可以轻松集成到现有的电路设计中。
    - 厂商支持:ON Semiconductor提供全面的技术文档和支持,包括产品手册、设计指南和技术支持服务。如有任何问题,可以通过官方网站获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间使用后器件过热。
    - 解决方案:确保有效的散热设计,增加散热片或改进风扇冷却系统。

    - 问题2:反向恢复电荷过高导致EMI问题。
    - 解决方案:选择合适的外围电路设计,例如加入软恢复电路或缓冲电路。

    总结和推荐


    综上所述,FDP2D9N12C MOSFET凭借其先进的技术和优越的性能,在众多应用中展现出了强大的竞争力。其出色的导通电阻、较低的反向恢复电荷和高可靠性,使其成为电力转换和控制系统的理想选择。建议在高效率要求的应用中优先考虑使用这款产品。

FDP2D9N12C参数

参数
配置 -
栅极电荷 109nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.9mΩ@ 100A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.894nF@60V
Vds-漏源极击穿电压 120V
最大功率耗散 2.4W(Ta),333W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 686µA
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

FDP2D9N12C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP2D9N12C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDP2D9N12C FDP2D9N12C数据手册

FDP2D9N12C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 3.1468 ¥ 26.1321
50+ $ 3.0112 ¥ 25.6736
100+ $ 2.9569 ¥ 25.4444
300+ $ 2.9298 ¥ 25.2151
500+ $ 2.9027 ¥ 24.9859
1000+ $ 2.8213 ¥ 23.8398
5000+ $ 2.8213 ¥ 23.8398
库存: 9729
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